时间：2025/7/9 15:53:40
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FQD7N10TM 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TO-252 封装形式。该器件适用于各种开关和功率控制应用，具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力。其主要功能是作为电子电路中的开关或放大元件，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。
该器件的最大额定电压为 100V，能够有效满足多种低压应用场景的需求。同时，其出色的性能参数使其成为高效率和高可靠性的功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7A
导通电阻：60mΩ（典型值，于 Vgs=10V 时）
总功耗：40W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关速度，适合高频开关应用。
4. 具备优秀的热稳定性和电气稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，便于布局与散热设计。
7. 内置反向二极管，适用于同步整流及续流电路。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC/DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. LED 驱动电路中的功率调节。
7. 续流及同步整流应用。
FQP50N06L, IRFZ44N, AO3400A
