C4928 时间：2025/9/7 15:14:58 阅读：19

C4928是一种常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率转换应用。这款器件具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高可靠性的电子系统中。C4928采用TO-220或TO-252等封装形式，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：7A（连续）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：约1.2Ω（典型值）
　　功耗(Pd)：83W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

特性

C4928 MOSFET具备多个关键特性，使其适用于各种高功率应用。首先，其高达600V的漏源电压使其适用于高电压电源转换器和马达控制电路。其次，较低的导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，可以在较高温度下可靠工作。C4928还具备快速开关特性，适用于高频开关应用。其封装形式设计便于散热，增强了长期工作的稳定性。
　　在可靠性方面，C4928采用了先进的制造工艺，确保了器件在复杂工作环境下的耐用性。它还具备较高的抗静电能力，减少了在生产和使用过程中因静电放电而损坏的风险。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，提高了设计的灵活性。
　　由于其优异的电气特性和封装设计，C4928被广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动器、逆变器以及各种高电压高电流的功率控制电路中。