时间：2025/9/14 3:41:06
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C4664是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供高效率和低导通电阻，适用于需要高电流和高电压操作的电路环境。C4664通常用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制应用中。由于其优异的热性能和高耐用性，该器件在工业和消费类电子产品中均受到欢迎。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：20V
最大漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：最大35mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
C4664具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它降低了热量产生并提高了系统的稳定性。
其次，该器件的最大漏源电压为30V，最大漏极电流可达10A，使其能够处理中高功率水平的应用。栅源电压限制为20V，确保了栅极驱动的灵活性和可靠性。
C4664广泛应用于多种功率电子系统中。首先，在开关电源（SMPS）中，它作为主开关器件，负责高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用于反激式和正激式转换器。
常见的替代型号包括IRLZ44N、Si4410BDY和FDS6675。这些型号在电气特性和封装形式上与C4664相似，可作为替代选项使用，但需根据具体应用需求进行验证。
