时间：2025/12/1 16:05:20
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C4532X7R2J104KT是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），采用EIA标准的4532封装尺寸，即公制尺寸为4.5mm x 3.2mm，等效于1812英制尺寸。该电容器介质材料类型为X7R，具有良好的温度稳定性和电容稳定性，适用于多种工业、消费类电子及通信设备中的去耦、滤波和旁路应用。其标称电容值为100nF（即0.1μF），以104代码表示，即10 × 10^4 pF = 100,000 pF = 100nF。额定电压为630V DC（2J代表630V），具备较高的耐压能力，适合在高压或瞬态电压环境中使用。该器件采用表面贴装技术（SMT）封装，便于自动化贴片生产，提升组装效率。
C4532X7R2J104KT具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提高电源系统的稳定性和高频响应性能。此外，该电容符合RoHS环保要求，并通过AEC-Q200等可靠性认证，适用于对可靠性和长期稳定性要求较高的应用场景。由于其较大的封装尺寸和高电压设计，该型号常用于工业电源、DC-DC转换器、逆变器以及部分汽车电子系统中，作为输入/输出滤波或能量存储元件。
产品类型：陶瓷电容器
电容：100nF
容差：±10%
额定电压：630V DC
介质材料：X7R
温度特性：±15% @ -55°C 至 +125°C
封装尺寸：4532（1812）
长度：4.5mm
宽度：3.2mm
厚度：最大3.2mm
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
安装类型：表面贴装（SMD）
端接类型：镍阻挡层 / 锡镀层（Ni-Sn）
电介质特性：Class II
老化率：约2.5%每十年（典型值）
直流偏压特性：随电压增加电容值下降（典型X7R行为）
C4532X7R2J104KT采用X7R类II型电介质材料，具有优异的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内，适用于高温或恶劣环境下的电子系统。这种稳定性使其在电源管理电路、DC-DC变换器以及车载电子设备中表现可靠。相比Y5V等其他类II介质，X7R在温度与电压变化下的电容波动更小，提高了系统整体的稳定性与可预测性。
该电容器的630V额定电压使其能够承受较高的直流偏置电压，适合用于中高压电源滤波场合，例如开关电源的输入级滤波或电机驱动电路中的储能与去耦。尽管随着施加电压的升高，实际可用电容会因电介质的非线性特性而有所下降，但其初始电容裕量设计仍能保证足够的有效容量。同时，在高频下其低ESR和低ESL特性有助于减少功率损耗并抑制噪声，提升电源完整性。
4532（1812）封装提供了较好的机械强度和焊接可靠性，尤其适用于振动较大或热循环频繁的应用场景，如工业控制设备或汽车电子。该封装还允许更大的内部电极层数，从而在相同介质下实现更高电压和容量组合。此外，其镍锡端电极设计增强了可焊性与抗迁移能力，支持回流焊工艺，并符合无铅焊接要求。
作为TDK的标准化MLCC产品，C4532X7R2J104KT具备良好的批次一致性与长期供货保障，广泛应用于需要高可靠性的领域。其符合AEC-Q200标准，表明其已通过严格的汽车级可靠性测试，包括温度循环、高温高湿偏压（THB）、耐焊接热等，可用于车用信息娱乐系统、ADAS模块或车身控制单元中的去耦电路。
C4532X7R2J104KT广泛应用于各类需要高电压、中等容量且温度稳定性良好的去耦与滤波场景。常见用途包括工业电源模块中的输入输出滤波电容，用于平滑整流后的电压波动并抑制高频噪声。在DC-DC转换器中，它可作为输出端的储能与纹波抑制元件，特别是在升压或反激式拓扑结构中，其高耐压能力可有效应对电压尖峰。
在电机驱动和逆变器系统中，该电容常被用作母线旁路电容，吸收开关瞬间产生的电流突变，保护MOSFET或IGBT等功率器件。由于其封装尺寸较大，散热性能相对较好，适合在较高功率密度电路中长期运行。
在通信设备中，C4532X7R2J104KT可用于电源轨的局部去耦，确保射频模块或数字信号处理器供电稳定。此外，在汽车电子系统中，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器或电池管理系统（BMS）中，该型号凭借其AEC-Q200认证和宽温工作能力，成为可靠的高压滤波选择。
医疗设备、测试仪器以及自动化控制系统中也常采用此类高可靠性MLCC，以满足长时间连续运行和安全规范的要求。其表面贴装形式便于PCB布局优化，减少寄生电感，提升高频性能。
C4532X7R2J104M
