型号：C4532X7R2E474M
　　制造商：TDK
　　封装/尺寸：4532（1812）
　　电容值：470nF (474)
　　额定电压：250V DC (2E)
　　介电材料：X7R
　　电容公差：±20% (M)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　介质类型：Class II
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍障层电极，覆金或锡
　　符合标准：RoHS, AEC-Q200（视具体批次而定）

C4532X7R2E474M所采用的X7R型介电材料是一种钙钛矿结构的铁电陶瓷配方，通常以钡钛酸盐为基础，并掺杂多种氧化物以优化其电气与热稳定性。这种材料属于II类电介质，虽然不具备I类陶瓷（如C0G/NP0）那样的线性与超稳定特性，但能在较小体积内实现较高的电容密度，因此在需要较大电容量且空间受限的设计中极具优势。X7R电容器的核心优势在于其在整个工作温度区间内（-55°C至+125°C）能够维持电容值的变化不超过±15%，这一特性使其远优于Y5V或Z5U等低稳定性介质材料，从而广泛应用于对温度漂移敏感但又不需要精密补偿的场合。
　　该器件的额定电压为250V DC，意味着它可以在持续直流偏压下安全运行而不发生击穿或老化加速。然而需要注意的是，随着施加电压的升高，特别是接近额定电压时，X7R电容器会出现明显的直流偏置效应——即实际可用电容会显著低于标称值。例如，在250V满压条件下，C4532X7R2E474M的实际电容可能下降至初始值的60%甚至更低，这在电源滤波或总线去耦设计中必须予以考虑。因此，在关键应用中建议通过降额使用（如仅施加≤80%额定电压）来提升可靠性与有效电容保持率。
　　此外，该电容器采用4532大尺寸封装（1812英寸制），提供了较大的内部叠层空间，有助于提高耐压能力和降低单位电容成本。同时，该封装形式也增强了抗机械应力的能力，减少因PCB弯曲或热胀冷缩导致的裂纹风险，特别适用于汽车电子或工业环境。其端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），确保良好的可焊性和长期耐腐蚀性，支持自动化贴片与回流焊接工艺。整体而言，C4532X7R2E474M是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中高压MLCC器件，适用于多种中高端电子系统设计需求。

C4532X7R2E474M因其较高的额定电压（250V）和适中的电容值（470nF），被广泛应用于各类需要中高压直流支撑或交流旁路功能的电路系统中。在电源管理领域，该器件常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC升/降压模块中，作为输入或输出端的滤波电容器，有效抑制高频噪声并稳定母线电压。特别是在工业电源和通信电源板卡中，这类高耐压MLCC可替代部分体积更大的电解电容，实现小型化设计的同时提升响应速度和寿命可靠性。
　　在汽车电子系统中，C4532X7R2E474M可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块等部位，承担去耦、滤波和瞬态能量缓冲的作用。得益于其符合AEC-Q200标准（视具体型号批次而定）和宽温工作能力，该器件能够在发动机舱附近的高温环境中稳定运行，适应车辆启动、刹车回馈等引起的电压波动。
　　此外，在工业自动化设备、医疗仪器、照明驱动（如LED恒流源）和家用电器（如变频空调、洗衣机控制板）中，该电容器也被用于EMI滤波电路、RC吸收网络以及信号耦合路径中，以提升系统的电磁兼容性与运行稳定性。在某些特定场景下，还可作为定时电路或谐振电路的一部分，尽管需注意其非线性特性带来的精度影响。总之，C4532X7R2E474M凭借其高电压耐受、良好温度特性和SMD安装便利性，成为现代电子设计中不可或缺的关键被动元件之一。

C4532X7R2E474K
　　GRM4535X7R2E474K
　　C4532X7R1H474M
　　KOA Speer 1812RC474MAT