时间：2025/11/24 11:20:59
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C4532X5R1A476MT000N是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），采用4532封装尺寸（公制，即1812英寸）。该器件属于X5R电介质系列，具有稳定的电气性能和较高的电容值，适用于多种工业、消费类电子以及电源管理应用。此型号的标称电容为47μF，额定电压为10V DC，具备较小的容量偏差（通常为±20%），并且在工作温度范围内（-55°C至+85°C）能保持良好的电容稳定性。该产品采用无铅、符合RoHS标准的结构设计，适合自动化贴片生产流程，并广泛应用于去耦、滤波、旁路和储能等电路场景中。作为一款高容值贴片电容，C4532X5R1A476MT000N在空间受限但需要较大电容值的设计中表现出色，是传统钽电容或铝电解电容的理想替代方案之一。
封装尺寸：4532（1812）
电容值：47μF
额定电压：10V DC
电介质类型：X5R
温度范围：-55°C 至 +85°C
电容公差：±20%
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
安装类型：表面贴装（SMD）
端接材料：镍/锡（Ni/Sn）
无铅：是
符合RoHS：是
C4532X5R1A476MT000N所采用的X5R电介质材料赋予了其优异的温度稳定性和可靠的电气性能。X5R表示该电容器能够在-55°C到+85°C的温度范围内工作，且电容值的变化不超过±15%，这使得它在面对环境温度波动时仍能维持相对稳定的电容表现，远优于Z5U或Y5V等普通电介质材料。该电容器的高电容密度得益于先进的多层陶瓷制造工艺，在4532的小型封装内实现了47μF的大容量输出，极大提升了单位体积内的储能能力，适用于对空间敏感的高密度PCB布局设计。
该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦和电源滤波应用中表现优异，可有效抑制电源噪声并提升系统的电磁兼容性（EMC）。由于其固有的非极性结构，该电容不会因反向电压而损坏，相比极性电容如铝电解或钽电容更加安全可靠。此外，其表面贴装形式支持回流焊工艺，适合大规模自动化生产，提高了生产效率与一致性。
在可靠性方面，TDK对该型号进行了严格的寿命测试和环境应力筛选，确保其在长期运行中的稳定性。即使在高温、高湿或振动环境下，该电容器也能保持良好的性能。同时，由于不含电解液，不存在干涸问题，因此寿命远超传统电解电容。这些特性使其成为现代开关电源、DC-DC转换器、FPGA供电网络、汽车电子模块以及工业控制设备中的理想选择。
C4532X5R1A476MT000N广泛应用于需要高电容值且对空间布局有严格要求的电子系统中。常见用途包括电源输入/输出端的滤波电路，用于平滑电压波动并减少纹波；在数字IC（如微处理器、GPU、FPGA）的电源引脚附近作为去耦电容，以吸收瞬态电流变化引起的噪声，保障供电质量；也常用于DC-DC转换器的输入储能和输出滤波环节，提高转换效率和输出稳定性。
在工业控制系统中，该电容可用于PLC模块、传感器信号调理电路和通信接口的EMI抑制。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能家居设备中，该器件被用于电池管理单元、显示驱动电源和射频模块的旁路电路。此外，在汽车电子领域，尽管X5R材料不属于车规级AEC-Q200认证的最严苛等级，但在部分非关键车载应用（如信息娱乐系统、车内照明控制）中也可使用，前提是工作条件在其规格范围内。其高可靠性、小尺寸和良好的频率响应特性使其成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
C4532X5R1A476ME000N
