时间：2025/9/12 13:38:31
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KU310N10D是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产。这款器件适用于高功率开关应用，因其具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻，广泛用于工业设备、电源管理和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：30A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约50mΩ（典型值）
最大功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
栅极电压（Vgs）：±20V
KU310N10D具有低导通电阻的特性，这使得器件在导通状态下具有较低的功耗，从而提高了整体系统的效率。该器件的高电流承载能力使其适用于需要大电流驱动的应用场景，如电机驱动和电源转换器。此外，KU310N10D具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，这得益于其优异的热阻特性和高结温耐受能力。
该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统的工作频率。同时，KU310N10D的栅极驱动要求较低，可在较宽的栅极电压范围内正常工作，增强了其在不同应用中的兼容性和灵活性。
在可靠性方面，KU310N10D采用了东芝的先进工艺制造，具备良好的抗静电能力和过载保护性能，从而延长了器件的使用寿命并提升了系统稳定性。
KU310N10D常用于各种高功率电子系统中，如直流电源转换器（DC-DC Converter）、电机驱动器、工业自动化设备以及电动车控制系统等。此外，它也可用于电池管理系统（BMS）、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）等需要高效率功率控制的场合。
TK310N10D, IRF3205, SiR340DP, FDP310N10D
