C4520C0G3F100F 时间：2025/12/5 18:21:07 阅读：49

C4520C0G3F100F是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型、高稳定性的电容器系列，广泛应用于各类电子电路中。C4520是其尺寸代码，表示该电容器的物理尺寸为4.5mm x 2.0mm，符合EIA标准中的1812封装规格。这使其适用于需要较大额定电压和较高电容值的应用场景，同时在空间允许的情况下提供良好的机械强度与焊接可靠性。C0G代表其介电材料类型，即温度补偿型陶瓷材料，具有极佳的温度稳定性，其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内几乎不随温度变化，电容变化率控制在±30ppm/°C以内。这种优异的稳定性使得C0G类电容器特别适合用于精密模拟电路、谐振电路、滤波器以及高频应用中。
　　“3F”通常表示该电容器的额定电压等级为25V DC（部分厂商编码体系中，“3F”对应25V），而“100F”则表示其标称电容值为10pF，容差等级为±1%（F表示±1%精度）。因此，C4520C0G3F100F是一款10pF、±1%精度、25V耐压、采用1812封装的C0G材质多层陶瓷电容器。由于其低损耗、高Q值、非电压依赖性及出色的频率响应特性，该器件在射频（RF）电路、定时电路、传感器接口、高速数字系统去耦等方面表现出色。此外，C0G MLCC还具备良好的抗老化性能和长期稳定性，不会像高介电常数材料（如X7R、Y5V）那样出现明显的电容衰减现象。

参数

型号：C4520C0G3F100F
　　制造商：Murata
　　封装/尺寸：1812 (4.5 x 2.0mm)
　　电容值：10pF
　　容差：±1%
　　介电材料：C0G (NP0)
　　额定电压：25V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　电容稳定性：Class I (IEC 60384-8/21)
　　产品系列：通用高性能MLCC
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接方式：镍障层 + 锡覆盖（Ni-Sn）

特性

C4520C0G3F100F所采用的C0G（也称为NP0）介电材料是Class I类陶瓷电容器的代表，具备卓越的电气稳定性与线性特性。其最显著的特点是在整个工作温度范围内电容值保持高度恒定，温度系数为0±30ppm/°C，这意味着即使在极端高低温环境下，其电容变化微乎其微，远优于X7R、X5R等高介电常数材料。这一特性使其成为对频率稳定性要求极高的电路中的首选元件，例如LC谐振回路、晶体振荡器负载电容、带通滤波器和相位锁定环路（PLL）等应用中不可或缺。此外，C0G电容器的电容值不随施加电压的变化而改变，呈现出理想的线性行为，避免了因电压波动导致的失真或频率漂移问题。
　　该器件具有极低的介质损耗，典型DF（耗散因子）低于0.1%，因而能够在高频下维持高Q值，减少能量损耗，提升电路效率。这对于射频放大器匹配网络、天线调谐电路和无线通信模块尤为重要。同时，C4520C0G3F100F具备优异的抗老化能力，其电容值不会随着时间推移发生明显退化，确保系统长期运行的可靠性。相比Y5V或Z5U等材料，C0G MLCC无明显的寿命衰减问题，无需定期校准或更换。
　　从结构上看，1812封装提供了比小型封装（如0402、0603）更大的爬电距离和更高的绝缘性能，适用于中等电压场合。其多层陶瓷构造增强了机械强度，提高了抗热冲击和焊接应力的能力，在回流焊过程中不易产生裂纹。此外，该器件采用兼容无铅焊接工艺的端子涂层，符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产线使用。整体而言，C4520C0G3F100F结合了高性能、高可靠性和工业级环境适应性，适用于严苛工况下的精密电子系统设计。

应用

C4520C0G3F100F因其优异的温度稳定性和低损耗特性，被广泛应用于对信号完整性要求较高的电子系统中。在射频（RF）和微波电路中，它常用于LC谐振器、阻抗匹配网络、带通滤波器和低噪声放大器输入/输出端的耦合与旁路，以确保频率响应的一致性和最小插入损耗。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈网络、有源滤波器和ADC/DAC参考电压缓冲电路，该电容器可有效防止因温度漂移引起的增益误差或失调问题，提高测量精度。此外，在时钟生成与分配系统中，例如为石英晶体振荡器提供精确的负载电容，C4520C0G3F100F能显著提升时序稳定性和抖动性能，保障数字系统的同步可靠性。
　　在工业控制、医疗设备、测试仪器和航空航天电子等领域，由于这些应用场景往往面临宽温、振动和长期连续运行的挑战，因此必须选用高可靠性的元器件。C4520C0G3F100F凭借其稳定的电气性能和良好的耐久性，成为这些高端领域的理想选择。同时，它也可用于电源去耦，尤其是在敏感模拟电源引脚附近，用作高频噪声抑制，尽管其电容值较小，但配合其他大容量去耦电容可形成多级滤波网络，提升电源纯净度。另外，在传感器信号调理电路中，如压力、温度或惯性传感器的前端滤波，该电容器有助于消除高频干扰，提升信噪比。总之，任何需要高稳定性、低失真和长期可靠性的电路均可考虑采用此型号。