类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：DFN1010MD-8

HYG065N03LR1C2 MOSFET采用先进的沟槽式结构设计，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其最大漏极-源极电压为30V，最大漏极电流可达60A，适用于高电流、高效率的电源转换电路。
　　该器件的导通电阻在VGS=10V时仅为6.5mΩ，在VGS=4.5V时也保持在8.5mΩ以下，使其在低压驱动条件下依然具有良好的性能表现。此外，其栅极-源极电压耐受范围为±20V，增强了器件在高频开关应用中的稳定性和可靠性。
　　封装方面，HYG065N03LR1C2采用DFN1010MD-8封装形式，具有较小的封装尺寸和良好的散热能力，适合在空间受限的设计中使用。该封装还支持双面散热，有助于提升器件在高负载条件下的热稳定性。
　　器件的工作温度范围从-55°C到150°C，适用于工业级和汽车电子应用，能够在恶劣环境条件下保持稳定运行。同时，该MOSFET具有较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于降低开关损耗，提高系统的整体效率。

HYG065N03LR1C2广泛应用于各类高效能电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电源模块以及车载充电器等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择。

SiR340DP, CSD17501QPA, SQJ482EP