类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：19A
　　导通电阻(Rds(on))：约7.5mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

C4384的主要特性包括低导通电阻，使其在高电流条件下具有更低的功率损耗，从而提升系统效率。
　　该MOSFET具备高开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统性能。
　　其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。
　　此外，C4384具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和车载电子系统。
　　由于其低输入电容和输出电容，C4384在高频开关过程中能够减少驱动损耗，提升响应速度。
　　该器件还具备较强的抗过载能力，在短时间过载条件下仍能保持稳定工作，增强系统的可靠性。

C4384广泛应用于各类电源管理系统中，例如DC-DC升压/降压转换器、同步整流器以及电池充电电路。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于H桥电路中的开关元件，实现高效、快速的电机控制。
　　此外，C4384也适用于负载开关、LED驱动器和电源分配系统，为这些应用提供高效率和高可靠性的解决方案。
　　在工业自动化设备中，该器件常用于PLC（可编程逻辑控制器）输出模块的开关控制，实现对执行机构的精准控制。
　　同时，C4384也适用于车载电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等应用场合。

Si4410, IRF3710, FDS4410, AON6260