C3M0280090D 时间：2025/9/11 7:47:57 阅读：31

C3M0280090D 是由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的一款碳化硅（SiC）功率 MOSFET，适用于高效率、高频率的电力电子应用。该器件基于碳化硅半导体技术，具备更低的导通损耗和开关损耗，能够在高温环境下稳定运行。C3M0280090D 的设计使其成为传统硅基 MOSFET 和 IGBT 的理想替代品，尤其适合需要高能效和高可靠性的应用场景。

参数

类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　漏极电流（Id）：80 A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：28 mΩ
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　栅极电荷（Qg）：160 nC（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　符合标准：RoHS

特性

C3M0280090D 的核心优势在于其采用了碳化硅材料，相较于传统硅基功率器件具有多项显著优势。首先，该器件的导通电阻仅为28mΩ，使得在高电流工作时导通损耗大幅降低，从而提高了整体系统的效率。其次，由于碳化硅材料具备更高的击穿电场强度，C3M0280090D 的漏源电压可达900V，使其适用于高压功率转换系统。
　　该MOSFET具备优异的开关性能，其栅极电荷（Qg）仅为160nC，能够显著减少开关过程中的能量损耗，提升系统的工作频率。这使得 C3M0280090D 非常适合用于高频逆变器、DC-DC 转换器以及功率因数校正（PFC）电路等场合。
　　此外，C3M0280090D 采用了 TO-247 封装，具备良好的热管理和机械稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行（-55℃至150℃），适应严苛的工作环境。同时，该器件具备一定的短路耐受能力，提高了系统的安全性和稳定性。
　　总体来看，C3M0280090D 在性能、效率和可靠性方面均优于传统硅基功率器件，是高功率密度、高效率电力电子系统设计中的优选器件。

应用

C3M0280090D 广泛应用于多个高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。在工业领域，该器件常用于高频逆变器、DC-DC 转换器以及不间断电源（UPS）系统中，以提高系统效率并减小系统体积。在新能源领域，C3M0280090D 可用于太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电设备，其高效率和高可靠性有助于提升整体能源利用效率。
　　在电动汽车（EV）领域，C3M0280090D 可用于车载充电器（OBC）和牵引逆变器系统，其优异的导通和开关性能可有效降低能耗，延长电池续航时间。此外，在轨道交通、智能电网和工业自动化等对可靠性要求极高的应用场景中，该碳化硅MOSFET同样具有广泛的应用潜力。
　　由于其高工作电压和大电流能力，C3M0280090D 也适用于各类高功率电源供应器、功率因数校正（PFC）模块以及电机驱动系统，帮助工程师实现更高性能和更高效率的电力电子设计。