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SEBLC12C 发布时间 时间:2025/5/10 11:29:37 查看 阅读:18

SEBLC12C 是一款基于硅基技术的高频功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而显著提升了系统的效率和性能。
  SEBLC12C 的设计注重优化了动态和静态特性之间的平衡,能够在高频率下提供优异的效能表现,同时保持良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):4mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:1200pF
  开关速度:15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SEBLC12C 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 内置防静电保护电路,提高了器件的鲁棒性。
  4. 小型化封装设计,便于在紧凑型电路板中使用。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适用于工业及汽车级环境。
  6. 稳定的动态特性,可减少电磁干扰(EMI)问题。
  7. 采用无铅材料,符合 RoHS 标准。

应用

SEBLC12C 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 各类 DC-DC 转换器的核心组件。
  3. 汽车电子系统中的负载控制与驱动。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动与控制。
  5. LED 驱动电路中的高效功率管理。
  6. 其他需要高性能功率 MOSFET 的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5800

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