时间：2025/12/28 16:23:32
阅读：39
C3M0120090J-TR是一款由Wolfspeed（前身为Cree）制造的碳化硅（SiC）MOSFET，适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的碳化硅技术，具备出色的导通和开关性能，适用于诸如电动汽车充电器、光伏逆变器和工业电源等应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高击穿电压以及优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。
型号：C3M0120090J-TR
类型：碳化硅（SiC）MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
封装尺寸：TO-247AC
栅极电荷（Qg）：62nC
输入电容（Ciss）：1350pF
输出电容（Coss）：300pF
反向恢复电荷（Qrr）：0nC
C3M0120090J-TR碳化硅MOSFET具备多项优异特性。首先，其120mΩ的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件的900V漏源电压（Vds）和40A漏极电流（Id）使其能够承受较高的功率需求，适用于高压和高电流的应用场景。此外，C3M0120090J-TR具备极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使其在高频开关应用中表现卓越，有效降低开关损耗。
与传统硅基MOSFET相比，C3M0120090J-TR碳化硅MOSFET具备更宽的能带隙，能够在更高的温度和更高的电压下稳定工作，提高了系统的可靠性和耐久性。此外，该器件的反向恢复电荷（Qrr）为零，使得在桥式拓扑结构中使用时，可以有效消除反向恢复损耗，提高系统效率。C3M0120090J-TR还具备良好的短路耐受能力，增强了其在严苛环境下的稳定性。
C3M0120090J-TR碳化硅MOSFET广泛应用于需要高效率和高频率操作的电力电子设备中。例如，在电动汽车充电器中，它可用于高频率DC-AC或AC-DC转换器，提高充电效率并减少热量损耗。在光伏逆变器中，该器件能够提升能量转换效率，并在高温环境下保持稳定运行。此外，该MOSFET也适用于工业电源、不间断电源（UPS）、储能系统和电机驱动器等应用。由于其优异的开关性能和耐高温特性，C3M0120090J-TR特别适合用于需要紧凑设计和高效能的功率系统中。
SiC MOSFET C3M0065090J, C3M0120090D, SCT3045AL, SiC MOSFET GSFC0120T12A
