RSS095N05 时间：2025/6/9 18:46:04 阅读：5

RSS095N05 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，适用于高频、高效能开关应用。该器件采用增强型常闭（e-mode）设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其封装形式为DFN8（2x2mm），有助于减少寄生电感并提高热性能。RSS095N05 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电源适配器、快充解决方案以及其他需要高效率和小尺寸的电力电子系统。
　　由于其先进的 GaN 技术，RSS095N05 在高频操作中表现出色，同时提供卓越的功率密度和能效。与传统的硅基 MOSFET 相比，RSS095N05 可以显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统的整体效能。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
　　栅极电荷：3nC
　　输入电容：1000pF
　　反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件，不存在体二极管）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

RSS095N05 具有以下关键特性：
　　1. 采用增强型氮化镓（eGaN）技术，实现更低的导通电阻和更高的开关频率。
　　2. 支持高达 100V 的漏源电压，适用于多种中低压应用。
　　3. 高效的热管理能力，得益于其紧凑的 DFN8 封装设计。
　　4. 极低的栅极电荷和输出电荷，使得开关损耗显著降低。
　　5. 没有传统硅基 MOSFET 中常见的反向恢复问题，提高了整体系统效率。
　　6. 符合 RoHS 标准，支持环保制造流程。
　　这些特性使 RSS095N05 成为现代高效电源转换和信号处理应用的理想选择。

应用

RSS095N05 广泛应用于以下领域：
　　1. USB-PD 快速充电器和适配器。
　　2. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
　　3. 高频 DC-DC 转换器，用于服务器、通信设备和工业控制。
　　4. LED 驱动电路，特别在需要高效率和小体积的设计中。
　　5. 无线充电发射端和接收端模块。
　　6. 各类电池管理系统（BMS）中的功率开关。
　　其高效的开关特性和紧凑的封装使其非常适合于对空间和效能有严格要求的应用场景。