时间：2025/12/28 16:21:19
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C3M0075120K是一款由Wolfspeed（原Cree）制造的碳化硅（SiC）功率MOSFET，适用于高功率和高频应用。该器件采用了先进的碳化硅技术，具备卓越的导通和开关性能，同时具有优异的热管理和可靠性。C3M0075120K广泛应用于电动汽车、可再生能源系统、工业电源以及电力电子变换器等领域。
漏源电压(Vds)：1200V
漏极电流(Id)：75A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：约27mΩ
栅极电荷(Qg)：约70nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
短路耐受能力：6倍额定电流（典型值）
最大功耗：300W
C3M0075120K MOSFET的碳化硅材料使其具有更低的导通损耗和开关损耗，从而显著提高整体系统效率。其高击穿电压和优异的热传导性能使得器件在高电压和高功率环境下仍能保持稳定运行。此外，该器件的低Rds(on)值减少了导通损耗，提高了系统的能量利用率。
该MOSFET还具有出色的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，从而提高了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+15V/-5V驱动方式，兼容多种驱动电路设计。
在高频应用中，C3M0075120K的快速开关特性可有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），并支持更小的无源元件设计，从而减小整体系统的体积和重量。此外，其封装设计具有良好的绝缘性能，适用于高电压隔离要求的应用场景。
C3M0075120K适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统，例如电动汽车充电器、车载DC-DC变换器、太阳能逆变器、储能系统、工业电机驱动器、UPS不间断电源以及高频功率转换器等。其优异的导通和开关性能使其成为传统硅基MOSFET和IGBT的理想替代方案，尤其适合在高功率密度和高温环境下运行的设备。
C3M0120120K、C3M0075120D、SiC MOSFET 1200V 80A（类似性能器件）
