时间：2025/12/28 16:21:03
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C3M0065090D 是由 Cree/Wolfspeed 公司生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，型号中的“C3M”代表其属于Wolfspeed的第三代碳化硅MOSFET技术。该器件设计用于高频率、高效率的功率转换应用，具有低导通电阻、快速开关特性和高热导率等优点。C3M0065090D 的最大漏源电压（VDS）为900V，最大连续漏极电流（ID）为150A（在TC=25℃下），采用TO-247封装形式，适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及储能系统等高要求的应用场景。
漏源电压 VDS：900V
漏极电流 ID：150A（TC=25℃）
栅极电压 VGSM：±20V
导通电阻 RDS(on)：6.5mΩ
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-247
C3M0065090D 是基于碳化硅（SiC）材料的MOSFET器件，相较于传统的硅基MOSFET和IGBT，具有显著的性能优势。首先，它的导通电阻（RDS(on)）仅为6.5mΩ，这使得在大电流应用中导通损耗大大降低，提高了整体效率。其次，碳化硅材料的宽禁带特性使其具有更高的击穿电场强度，从而可以在保持高耐压能力的同时实现更小的芯片尺寸，提高功率密度。
该器件的开关速度非常快，能够支持高频开关操作，从而减少磁性元件的体积和重量，提升系统效率并降低散热需求。此外，C3M0065090D 在高温下依然能够保持良好的稳定性，其工作温度范围从-55℃到+150℃，适用于各种严苛环境下的应用。由于SiC MOSFET具备正温度系数特性，多个器件并联使用时具有良好的电流均衡能力，提升了系统的可靠性和扩展性。
在驱动方面，C3M0065090D 的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的MOSFET驱动电路，便于集成到现有的功率变换系统中。同时，其短路耐受能力较强，增强了器件在异常工况下的鲁棒性。
C3M0065090D 凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及良好的高温稳定性，广泛应用于多个高功率密度和高效率需求的领域。例如，在工业电源系统中，该器件可用于构建高效率的DC-DC转换器和AC-DC整流器，显著降低能量损耗并提升整体系统效率。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风能变流器中，C3M0065090D 的高频开关能力可支持更小的无源元件设计，从而缩小设备体积并提升功率密度。
在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电机控制器等关键部件，提高充电效率和动力系统的整体性能。此外，C3M0065090D 也被广泛用于储能系统（如UPS不间断电源和电池储能逆变器），以实现高效的能量转换与管理。由于其优异的并联性能和可靠性，该器件也适用于需要多管并联工作的高功率应用场景。
C3M0065090J, C3M0075120K, SCT30N120, SiC MOSFET模块如CMF300HA-12H
