时间：2025/12/28 16:23:12
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C3M0021120D 是由 Cree/Wolfspeed 公司生产的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，采用先进的碳化硅半导体技术制造，具备低导通电阻和快速开关特性。该器件专为高功率、高频和高效率应用设计，例如电动汽车充电系统、太阳能逆变器、工业电源和电机驱动等。其额定电压为1200V，导通电阻仅为2.1mΩ，适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。
型号: C3M0021120D
类型: N沟道碳化硅MOSFET
漏源电压(Vds): 1200V
漏源导通电阻(Rds(on)): 2.1mΩ
连续漏极电流(Id): 260A
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: TO-247
栅极电荷(Qg): 110nC
输入电容(Ciss): 3500pF
C3M0021120D 是一款高性能的碳化硅MOSFET器件，其基于SiC材料的优势，展现出卓越的电气性能和热性能。与传统的硅基MOSFET相比，该器件具有更低的导通损耗和开关损耗，从而显著提高了系统的整体效率。其2.1mΩ的超低导通电阻，使其在高电流应用中仍能保持较低的功率损耗。此外，该器件具备出色的热导率和较高的工作温度耐受能力，使其在高功率密度和高温环境下依然能够稳定运行。
该MOSFET的封装形式为TO-247，便于在各种功率模块和散热系统中安装。由于其快速的开关速度和较低的开关损耗，C3M0021120D 非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机控制器。此外，该器件的高击穿电压和优异的短路耐受能力，使其在极端工作条件下仍具有良好的可靠性，确保系统的稳定运行。
此外，C3M0021120D 在设计时充分考虑了电磁干扰（EMI）问题，优化了器件的内部结构，以减少高频开关过程中产生的噪声，提高系统的电磁兼容性。这一特性对于要求严格EMI标准的应用（如电动汽车和工业自动化设备）尤为重要。
C3M0021120D 主要应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如，在电动汽车充电系统中，该器件可以显著提高充电效率，缩短充电时间；在太阳能逆变器中，其高开关频率和低损耗特性有助于提高能量转换效率，并减小系统体积；在工业电源和电机驱动系统中，C3M0021120D 能够提供稳定的高功率输出，同时降低能耗和散热需求。此外，该器件也适用于储能系统、UPS不间断电源和智能电网等高端电力电子设备。
C3M0015120D, C2M0025120D, SCT3045KL, SiC MOSFET模块如CMF20120D等
