最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V
　　正向电流（IF）：20A
　　正向电压（VF）：1.7V（典型值）
　　反向漏电流（IR）：100μA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　技术类型：碳化硅（SiC）肖特基二极管

C3D20060D 的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）的肖特基二极管结构，这种材料相较于传统的硅材料，具备更高的带隙能量（3.0 eV 对比 1.1 eV），从而显著降低了反向漏电流，并允许在更高的温度下稳定运行。该器件的最大重复峰值反向电压为 600V，适用于多种中高功率应用。其正向电流额定值为 20A，确保在各种工作条件下都能保持良好的导通性能。在正向导通时，C3D20060D 的典型正向电压降为 1.7V，相比传统硅二极管的 3V 左右显著降低，有助于减少导通损耗。
　　此外，C3D20060D 的反向漏电流在最大工作电压下仅为 100μA，这一特性有助于提高系统效率并减少不必要的功耗。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合在极端环境条件下使用，同时其存储温度范围也为 -55°C 至 +175°C，保证了在各种运输和存储条件下的可靠性。该模块采用 TO-247 封装形式，具备良好的散热能力和机械稳定性，便于安装和集成到现有系统中。由于 SiC 材料的固有特性，C3D20060D 拥有极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr），这使其非常适合高频开关应用，从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。整体而言，C3D20060D 是一款高性能的功率二极管模块，适用于要求高效率、高可靠性和紧凑设计的现代电力电子系统。

C3D20060D 主要用于高性能电源转换系统，如功率因数校正（PFC）电路、DC-DC 升压/降压转换器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）和工业电机驱动器。由于其优异的热稳定性和高频开关能力，C3D20060D 特别适合用于需要高效率和紧凑设计的开关电源（SMPS）中，能够有效减少系统的散热需求和整体尺寸。在新能源汽车领域，该器件可应用于车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）中，提高电能转换效率并延长电池寿命。此外，C3D20060D 还广泛应用于高频感应加热、LED 照明驱动和自动化控制系统等需要高可靠性和高稳定性的工业场景。其出色的抗热冲击性能和低导通损耗也使其成为航空航天和军事电子系统中理想的功率器件选择。

C3D20060D 的替代型号包括 C3D20065D、C3D20060A、C3D20065A、SiC20060A、SiC20060D、C2M0080120D、C2M0160120D 等碳化硅肖特基二极管模块。