您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > QMK212B7222KDHT

QMK212B7222KDHT 发布时间 时间:2025/7/9 17:23:35 查看 阅读:8

QMK212B7222KDHT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管,主要应用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该器件采用增强型 GaN FET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,可显著提高系统能效并减小设计体积。
  这款芯片结合了先进的封装技术和优化的电气性能,能够在高温环境下稳定工作,并且内置了过温保护和过流保护功能,确保其在复杂工况下的可靠性。

参数

型号:QMK212B7222KDHT
  类型:增强型 GaN 功率晶体管
  最大漏源电压(VDS)栅极电压(VGS):+6V/-4V
  连续漏极电流(ID):22A
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ(典型值,25°C)
  开关频率:最高支持 5MHz
  封装形式:TO-247-3L
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

QMK212B7222KDHT 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),能够有效降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 支持高达 5MHz 的开关频率,适合高频应用需求。
  3. 内置完善的保护机制,如过温保护和过流保护,增强了产品的可靠性和安全性。
  4. 封装紧凑,便于散热设计,同时减少寄生电感的影响。
  5. 具备出色的热稳定性,在极端温度条件下仍能保持良好性能。
  6. 高击穿电压 VDS 确保在高压环境中的稳健运行。
  7. 使用 GaN 技术大幅简化了 PCB 布局,减少了外部元件的数量。

应用

QMK212B7222KDHT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器,尤其是对效率和尺寸有较高要求的设计。
  2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 中的车载充电器 (OBC) 和逆变器。
  3. 工业电机驱动器及高频谐振转换拓扑。
  4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
  5. 快速充电器和适配器解决方案。
  6. 数据中心服务器电源模块。
  7. 激光雷达 (LiDAR) 和其他高性能脉冲电源系统。

替代型号

QMK212B7222KDHM, QMK212B7222KDLT

QMK212B7222KDHT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

QMK212B7222KDHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格4,000 : ¥0.35490卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容2200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高电压
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-