类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在25°C下）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　功率耗散（Pd）：134W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　引脚数：3（漏极、源极、栅极）

C3030WR-2X3P 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，专为高效率功率转换应用设计。其核心特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），通常可低于3.0mΩ，这使得它在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件支持高达100A的连续漏极电流，在需要大电流处理能力的应用中表现出色。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化装配流程。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至10V之间有效工作，兼容多种常见的驱动电路方案。此外，C3030WR-2X3P 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的性能。
　　另一个显著优势是其耐用性和可靠性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣工作环境。该器件还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。此外，由于其低热阻特性，能够有效地将热量传导至PCB，进一步增强其热稳定性。

C3030WR-2X3P MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中，尤其适合需要高效能和高电流处理能力的场合。例如，它常用于同步整流的DC-DC转换器、高效率开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、负载开关和电机驱动电路等。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，该MOSFET也常用于提高系统效率和可靠性。此外，由于其优异的热性能，它也可用于紧凑型设计中，以减少对额外散热片的需求。

SiS430DN-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, CSD17501QPA