时间：2025/12/28 16:20:43
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C2M1000170D 是 Wolfspeed（原 Cree）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管。这款器件采用先进的碳化硅技术，相比传统硅基MOSFET和IGBT，具有更低的开关损耗、更高的导通效率和更高的工作温度耐受能力。该器件适用于高功率、高频和高温应用场景，如电动汽车（EV）充电系统、可再生能源逆变器、工业电源和储能系统等。C2M1000170D 的额定电压为 1700V，额定电流为 100A，在标准封装下提供了优异的热管理和电气性能。
型号：C2M1000170D
制造商：Wolfspeed
类型：碳化硅 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1700V
最大漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：17mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247-3
栅极电荷(Qg)：220nC
输入电容(Ciss)：10.5nF
短路耐受能力：有
符合标准：RoHS，无铅
C2M1000170D 具有多个显著的性能优势。首先，其碳化硅材料特性赋予了它比传统硅基器件更低的导通压降和更小的开关损耗，使得功率转换效率大幅提升。其次，该器件具备更高的热导率和更好的热稳定性，能够在更高温度下可靠运行，从而减少散热系统的设计复杂度。此外，C2M1000170D 的结构设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于降低系统级滤波器成本。其 TO-247-3 封装形式便于与现有硅基MOSFET或IGBT的替换和兼容，同时支持快速开关操作，提高系统整体效率和稳定性。
C2M1000170D 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。在电动汽车领域，它常用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，以提高能效并减小系统体积。在可再生能源领域，该器件可用于光伏逆变器和储能变流器，以提升能源转换效率并延长系统寿命。此外，在工业电源、不间断电源（UPS）、电能质量调节设备和高功率开关电源中也有广泛应用。由于其出色的短路耐受能力和高温稳定性，C2M1000170D 也适用于对系统安全性和可靠性要求较高的场合。
C2M1000170D 的替代型号包括 C2M1000170P、C3M0065065D 和 SCT3045AL。这些型号在电压、电流和导通电阻等关键参数上相近，适用于类似的高功率应用场景。具体选型应根据实际应用需求进行评估，如封装形式、开关特性、热管理要求以及成本考量等。
