时间：2025/9/11 7:15:03
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C2M0080170P 是一款由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的碳化硅（SiC）MOSFET，适用于高功率、高频率的应用场景。其主要特点是具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于电源转换、逆变器和电机控制等高效率电力电子系统。
类型：MOSFET
材料：碳化硅（SiC）
最大漏极电流（Id）：80A
最大漏源电压（Vds）：1700V
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ
栅极电压范围：-5V 至 20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
C2M0080170P MOSFET 基于碳化硅半导体技术，具备优异的热性能和高击穿电压能力，能够在高温和高压环境下稳定运行。其低导通电阻和快速开关速度有效降低了开关损耗和导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，确保在异常工况下的可靠运行。
该器件的栅极设计支持标准驱动电压，简化了与传统硅基MOSFET和IGBT驱动电路的兼容性。碳化硅材料的使用也使得器件在高频应用中表现出色，减少了磁性元件的体积和重量，从而实现更紧凑的系统设计。此外，C2M0080170P 的高热导率和耐高温能力降低了散热设计的复杂度，提高了系统的可靠性和寿命。
C2M0080170P 主要应用于高功率密度和高效率的电力电子系统中，包括工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电机驱动器以及高频功率转换器等。其优异的性能使其成为替代传统硅基MOSFET和IGBT的理想选择，尤其适用于需要高效率和高可靠性的苛刻工作环境。
C2M0080170D
