型号：6N60-ML
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：5.1A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：20.4A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
　　输入电容（Ciss）：1000pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：290pF
　　反向传输电容（Crss）：17pF
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

6N60-ML采用高性能硅基平面工艺技术，确保了在高电压环境下依然具备稳定的电气性能和较长的使用寿命。其核心优势之一是具备较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V条件下典型值仅为1.8Ω，这有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效水平。同时，该器件的栅极电荷（Qg）相对较低，典型值约为35nC，有助于减少驱动电路的能量消耗，并支持较高的开关频率操作，适用于高频开关电源设计。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性，在结温升高时仍能保持良好的电流控制能力，避免热失控现象的发生。其内部结构经过优化设计，增强了抗雪崩击穿的能力，可在瞬态过压或感性负载关断过程中吸收一定的能量，从而提升整个电源系统的鲁棒性。此外，6N60-ML对静电放电（ESD）具有一定的防护能力，但在实际使用中仍建议采取适当的防护措施以避免损伤。
　　器件的封装采用标准TO-220形式，引脚兼容性强，便于替换同类产品并适用于通孔焊接工艺。其金属背板结构有利于将热量传导至散热片，实现高效散热，确保长时间满载运行时的可靠性。该MOSFET还表现出良好的dv/dt和di/dt抗扰度，减少了误触发的风险，适用于电磁干扰较复杂的工业环境。综合来看，6N60-ML在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率开关电源中理想的主控开关器件选择。

6N60-ML广泛应用于各类中低功率开关模式电源系统中，典型用途包括AC-DC适配器、充电器、LED恒流驱动电源以及小型开关电源模块。在这些应用中，它通常作为主开关管连接在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中，负责将输入的直流高压进行周期性斩波，实现能量传递与电压变换。其600V的耐压能力足以覆盖全球通用交流输入范围（85V~265V AC）经整流后的峰值电压，具备良好的适应性。
　　此外，该器件也常见于DC-DC升压或降压转换电路中，尤其在需要较高输出电压的场景下发挥重要作用。例如，在液晶显示器背光驱动、小型逆变电源及太阳能微逆系统中，6N60-ML可用于构建高效的功率级电路。在工业控制领域，它也被用于电机驱动、电磁阀控制和继电器驱动等需要快速开关响应的应用中，凭借其快速的开关速度和较强的电流承载能力，保障控制系统动态响应的准确性。
　　在家用电器方面，如空调、洗衣机、冰箱等变频控制板中，6N60-ML可用于辅助电源供电回路，为控制芯片提供稳定的工作电压。其高可靠性和宽温度工作范围使其能够在恶劣的温湿度环境中长期稳定运行。此外，在电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源和智能电表等电力电子设备中，该器件也常用于电源管理单元，承担功率开关或负载切换功能。总体而言，6N60-ML凭借其优异的电气性能和经济性，已成为多种电源拓扑结构中的主流选择之一。

KIA6N60F, FQP6N60, STP6NK60ZFP, IRFBC30