时间：2025/12/28 16:21:10
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C2M0025120D 是一款由 Wolfspeed（原 Cree）生产的 SiC（碳化硅）功率 MOSFET，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用设计。该器件采用先进的碳化硅半导体技术，具有优异的导通和开关性能，适用于电动汽车、可再生能源系统、工业电源及高功率密度变换器等应用领域。C2M0025120D 的最大漏源电压（VDS）为 1200V，最大连续漏极电流（ID）为 25A（在 25°C 时），具备低导通电阻和快速开关能力。
型号：C2M0025120D
类型：SiC 功率 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大连续漏极电流（ID @ 25°C）：25A
导通电阻（RDS(on)）：25mΩ（典型值）
栅极电压范围：-5V ~ +20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247AC
技术：碳化硅（SiC）MOSFET
C2M0025120D 具有出色的电气性能和热稳定性，是传统硅基功率器件的理想替代品。
其碳化硅材料使得该器件在高频、高压和高温环境下仍能保持优异的性能。
导通电阻低至 25mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
器件具备高短路耐受能力，可在严苛工况下保持稳定运行。
由于 SiC 材料的宽禁带特性，C2M0025120D 具有更低的开关损耗，适用于高频率开关应用。
此外，其封装设计支持高效的热管理，有助于提升整体系统的可靠性。
该器件还具备良好的抗干扰能力和较高的工作温度上限，适合在高温环境下工作。
综合来看，C2M0025120D 是高功率密度、高效率电源系统中的理想选择。
C2M0025120D 被广泛应用于电动汽车充电系统、车载逆变器、太阳能逆变器、储能系统、不间断电源（UPS）、工业电机驱动以及高功率电源模块等领域。
C2M0025120F2、C2M0040120D、C3M0015120K、C3M0032120K
