型号：SF-35M50+
　　封装类型：SOD-323 (MELF)
　　二极管类型：PIN 二极管
　　最大直流阻断电压 (V_R)：35 V
　　最大正向电流 (I_F)：100 mA
　　反向恢复时间 (t_rr)：4 ns
　　结电容 (C_j)：0.35 pF @ 5 V, 1 MHz
　　串联电阻 (R_s)：2.5 Ω
　　热电阻 (R_th)：400 K/W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　峰值功率耗散：200 mW

SF-35M50+ 的核心优势在于其卓越的高频性能表现。该 PIN 二极管在射频和微波频段内展现出极低的结电容（典型值为 0.35 pF 在 5V 偏置下），这一特性显著降低了信号传输过程中的寄生电容效应，从而提升了电路在 GHz 频率范围内的响应速度与带宽。同时，其低串联电阻（R_s = 2.5 Ω）有效减少了导通状态下的插入损耗，使器件在射频开关和可变衰减器应用中能够实现更高的信号保真度和更低的功率损耗。这种低损耗特性对于构建高效能通信链路至关重要，尤其是在移动通信基站、卫星通信和无线局域网设备中。
　　另一个关键特性是其快速的反向恢复时间（t_rr = 4 ns），这意味着 SF-35M50+ 能够在高频开关操作中迅速从导通状态切换至截止状态，减少开关瞬态过程中的非线性失真和能量损耗。这使得该器件非常适合用于高速调制解调电路、脉冲雷达系统以及需要快速响应的射频控制模块。此外，其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在极端环境条件下的长期稳定运行，增强了系统的可靠性与耐用性。
　　SF-35M50+ 采用 SOD-323 表面贴装封装，具有较小的占板面积和良好的热稳定性，便于自动化贴片生产并适应高密度 PCB 设计需求。该封装还提供了优异的高频匹配性能，减少了引线电感对高频信号的影响。器件的反向击穿电压为 35V，在多数中等功率射频系统中足以提供足够的安全裕量。其 200mW 的峰值功耗能力支持短时高功率脉冲操作，适用于限幅器电路以保护敏感的后级元件（如低噪声放大器）免受强信号冲击。整体而言，SF-35M50+ 凭借其高频低损、快速响应、高可靠性和紧凑封装，成为现代射频系统中不可或缺的基础元件。

SF-35M50+ 广泛应用于各类高频和射频电子系统中。在通信领域，它常被用于射频开关模块，实现天线切换或多通道信号路径选择，尤其适用于 GSM、CDMA、WLAN 和 5G 射频前端设计。由于其低电容和低串联电阻特性，该器件可在多路复用器和双工器中作为高性能开关单元，提升系统整体效率和信号完整性。在测试与测量仪器中，SF-35M50+ 被集成于自动增益控制（AGC）电路和可编程衰减器中，用于精确调节输入信号强度，确保接收机不会因过载而失真。
　　此外，该二极管也常见于雷达和电子对抗系统中的限幅保护电路。当接收到高强度电磁脉冲或干扰信号时，SF-35M50+ 能迅速进入导通状态，将多余能量旁路到地，从而保护后续的低噪声放大器（LNA）和其他敏感组件不受损坏。其快速响应能力和高可靠性使其成为军用和航空航天应用中的优选器件。在消费类电子产品中，该器件可用于蓝牙模块、物联网（IoT）无线收发器和智能传感器中的射频信号控制单元，满足小型化和高性能的双重需求。
　　由于其符合 RoHS 标准且支持无铅焊接工艺，SF-35M50+ 也适用于绿色电子产品制造流程。其稳定的电气性能和良好的批次一致性，使其在批量生产和自动化装配中表现出色，降低了制造缺陷率和质量控制成本。因此，无论是工业级设备还是商业级产品，SF-35M50+ 都能提供可靠的射频解决方案。

BAR63-02V