时间：2025/7/25 18:40:13
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C25N3TM250是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高频应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能。C25N3TM250通常用于电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理电路。其封装形式通常为TO-220或类似的高功率散热封装，以确保在高电流操作下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：25A
最大漏源电压（Vds）：250V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.12Ω（典型值，具体取决于Vgs）
功率耗散（Pd）：约40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
C25N3TM250具有多个关键特性，使其适用于高功率开关应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高能效，同时减少热量产生。其次，该MOSFET支持高达25A的连续漏极电流和250V的漏源电压，使其适用于中高功率应用。此外，C25N3TM250采用了先进的沟槽式结构，优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关环境。
该器件还具备良好的热稳定性，封装设计允许有效的散热，从而在高负载条件下保持稳定运行。栅极驱动要求相对较低，兼容常见的10V或12V栅极驱动电路，便于集成到多种电源系统中。C25N3TM250还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持器件安全，提高系统可靠性。
C25N3TM250广泛应用于各类电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、电机控制电路、UPS不间断电源、逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备。其高耐压和大电流能力也使其适用于家用电器中的功率控制部分，如电磁炉、变频空调等。此外，C25N3TM250还可用于太阳能逆变器、电动车充电模块等新能源相关设备中，作为核心的功率开关元件。
IRF3205, FDP2532, STP25NK25Z, FQA25N25C
