C2500-C 时间：2025/6/24 8:07:38 阅读：10

C2500-C是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低能耗并提升系统效率。
　　作为一款N沟道增强型场效应晶体管，C2500-C通过栅极电压控制源漏极之间的电流流动。其设计旨在支持高频率操作环境，同时保持良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：100A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　总功耗：150W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

特性

C2500-C的主要特点是低导通电阻，从而减少导通损耗，提高整体效率。此外，它还具备快速开关性能，能适应高频应用需求。芯片内部集成了过温保护功能，可以防止因过热而导致损坏。
　　由于采用了优化的结构设计，C2500-C在动态特性上表现优异，例如较低的输入电容和输出电容，这有助于进一步改善开关行为并减少电磁干扰问题。
　　另外，该器件具有较强的抗雪崩能力，能够在短路或异常条件下维持正常运行，确保系统的长期稳定性。

应用

C2500-C适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，如AC-DC转换器和DC-DC变换器；
　　2. 电动车辆中的电机控制器及逆变器模块；
　　3. 工业自动化设备里的伺服驱动系统；
　　4. 太阳能光伏微逆变器以及其他需要高效能量转换的应用场景。
　　凭借其卓越的性能指标和可靠性，这款芯片成为众多工程师设计大功率电路时的理想选择。