时间：2025/12/3 17:43:53
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C2012X7R1H104K是一款由多家制造商生产的多层陶瓷贴片电容器（MLCC），广泛应用于各类电子设备中。该型号遵循EIA标准尺寸编码，C2012表示其物理尺寸为2.0mm × 1.25mm（即0805英制封装），属于小型化表面贴装元件，适合高密度PCB布局需求。该电容器采用X7R介电材料，具有良好的温度稳定性，其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%。型号中的'1H'代表额定电压代码，对应为50V直流耐压；'104'表示标称电容值为100nF（即10×10^4 pF），而末尾的'K'为电容公差代码，表示容差为±10%。该器件无极性，适用于去耦、滤波、旁路、信号耦合及电源稳定等多种电路功能。由于其优异的电气性能和可靠性，C2012X7R1H104K被广泛用于消费类电子产品、通信设备、工业控制模块以及汽车电子等领域。该类产品符合RoHS环保要求，通常采用卷带包装，便于自动化贴片生产。
尺寸规格：2.0mm × 1.25mm (EIA 0805)
电容值：100nF (104表示10×10? pF)
额定电压：50V DC (代码1H)
电容公差：±10% (K级)
介电材质：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
电容温度特性：ΔC/C ≤ ±15% 在全温区内
介质绝缘电阻：≥4000 MΩ 或 ≥100 S·μF（取较小值）
耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
焊接方式：回流焊适用
端电极结构：Ni/Sn镀层
产品类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
安装方式：表面贴装（SMD）
C2012X7R1H104K所采用的X7R型介电材料是一种以钛酸钡为基础的铁电陶瓷配方，经过掺杂改性后实现了较高的介电常数与相对稳定的温度特性。这种材料在宽温条件下能够保持电容值的变化控制在±15%以内，相较于Z5U或Y5V等高波动性介质具有更优的稳定性，因此特别适用于对电容精度有一定要求但又需要较高体积效率的应用场景。其100nF的电容值在SMD封装中属于中等偏大容量，配合50V额定电压，使其能够在多种电源轨中胜任去耦任务，例如为IC供电引脚提供高频噪声旁路。该器件具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），有助于提升其在高频下的阻抗表现，从而有效滤除开关电源产生的纹波干扰。此外，其2.0mm × 1.25mm的小型化尺寸满足现代电子产品向轻薄化发展的趋势，同时仍保留足够的机械强度以应对热应力和机械振动。
该电容器的结构采用多层堆叠工艺制造，内部由数十甚至上百层交替排列的金属电极与陶瓷介质构成，通过共烧工艺形成一体式芯片结构。这种设计不仅提高了单位体积内的电容密度，还增强了器件的可靠性和抗热冲击能力。端子部分通常采用三层电极系统（Cu/Ni/Sn），确保良好的可焊性和长期环境耐受性，防止因硫化或氧化导致接触不良。C2012X7R1H104K符合AEC-Q200等可靠性标准的部分等级要求（视具体厂商而定），可用于对稳定性要求较高的工业与车载环境。此外，该器件不含铅，符合RoHS和REACH环保指令，适用于绿色电子产品制造。其电气性能稳定，在正常工作条件下寿命可达数十年，是现代电子线路设计中常用的通用型MLCC之一。
C2012X7R1H104K因其良好的温度稳定性、适中的电容值和较高的额定电压，广泛应用于各类电子系统的电源管理与信号处理环节。在数字电路中，它常被用作微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑芯片的电源去耦电容，安装于电源引脚附近，用于吸收瞬态电流波动并抑制高频噪声传播，保障供电质量。在DC-DC转换器、LDO稳压电路中，该电容可用于输入/输出滤波，平滑电压纹波，提高电源效率与系统稳定性。此外，在模拟信号链路中，如运算放大器的偏置电路或ADC/DAC参考电压缓冲，该器件也可作为旁路电容使用，减少外部干扰对精密信号的影响。
在通信设备中，C2012X7R1H104K可用于接口保护电路或时钟信号路径中的耦合与去耦，帮助维持信号完整性。工业控制系统中的PLC模块、传感器调理电路也大量采用此类电容以增强抗干扰能力和运行可靠性。随着汽车电子化进程加快，该型号还被应用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统和ADAS辅助驾驶单元中，尤其是在非动力域的低压电源网络里发挥重要作用。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该电容因体积小巧且性能可靠，成为PCB上最常见的被动元件之一。其广泛的适用性使其成为电子工程师在原理图设计阶段的常用选型之一。
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"GRM21BR71H104KA01",
"CL21A104KAQNNNE",
"C2012X7R1H104M",
"EMK212BJ1H104KAQL",
"LC0805X7R1H104K"
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