时间：2025/12/24 7:52:10
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500R14N331JV4T 是一种基于硅技术的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高功率应用场合。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在开关电源、电机驱动、逆变器等场景中使用。
其设计特点使其能够在高电压条件下高效运行，并且具备良好的热性能和耐用性，能够承受一定的瞬态电压冲击。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：14A
导通电阻：330mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
500R14N331JV4T 的主要特点是其高压性能与较低的导通电阻相结合，这有助于减少功率损耗并提高效率。
此外，它还具备以下优点：
1. 快速开关速度，降低了开关损耗。
2. 优秀的 RDS(on) 特性，确保在高负载条件下仍能保持较低的能量损失。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 热稳定性强，能够在极端温度范围内正常工作。
这些特性使得该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子应用。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于以下几种：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器及不间断电源（UPS）系统。
4. 工业自动化设备中的控制电路。
5. 电动车充电站和其他高电压、大电流的工业设备。
由于其出色的电气特性和机械性能，500R14N331JV4T 在各种复杂的电力电子环境中表现出色。
500R14N331JW4T, IRFP460, STP70NF75
