C2012X7R1A475KT000N 是一款陶瓷多层片式电容器 (MLCC),属于 X7R 温度特性系列,采用 C02012 封装形式。该型号适用于高频电路和对体积要求严格的场景,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。其高稳定性和可靠性使其成为许多精密电路设计中的关键元件。
封装:C2012
介质材料:X7R
额定电压:10V
标称容量:475pF
容差:±10%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:2.0mm x 1.25mm
C2012X7R1A475KT000N 具有以下显著特性:
1. 高稳定性:X7R 介质材料保证了电容器在宽温范围内具有稳定的电容值变化,变化率不超过 ±15%。
2. 小型化设计:C02012 封装使得该电容器非常适合紧凑型设计需求。
3. 低ESL/ESR:由于采用多层结构设计,具备较低的等效串联电感和电阻,适合高频应用。
4. 耐焊接热冲击:产品经过特殊工艺处理,能够承受回流焊和波峰焊的高温环境。
5. 环保材料:符合 RoHS 标准,无铅设计,适合绿色电子产品制造。
该型号电容器适用于多种电子电路场合:
1. 滤波器:用于电源滤波或信号滤波以减少噪声干扰。
2. 耦合与去耦:在模拟和数字电路中提供稳定的电源去耦功能。
3. 高频电路:如射频模块、无线通信设备等需要小尺寸和高性能电容的应用。
4. 数据存储设备:例如固态硬盘 (SSD) 和嵌入式存储卡中的旁路电容。
5. 工业自动化系统:作为敏感传感器信号调理电路中的关键元件。
C2012X7R1A475K160AA, GRM188R60J473KA01D