C2012X6S1A226MT000E 是一款多层陶瓷电容器 (MLCC),属于 X7R 温度特性的高稳定性和高容量电容器。该型号适用于高频电路中的耦合、旁路和滤波等场景,其小型化设计非常适合现代电子设备对空间优化的需求。
该器件采用 C 外形尺寸(约 2.0x1.25mm),具备优异的电气性能和机械稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值。
封装:C2012
介质材料:X7R
额定电压:6.3V
标称电容值:2.2μF
公差:±10%
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
ESR:低
频率特性:适合高频应用
C2012X6S1A226MT000E 的主要特点是其使用了 X7R 介质材料,这种材料保证了电容器在 -55°C 到 +125°C 的宽温范围内具有较低的电容变化率,通常不超过 ±15%。
此外,该型号采用了 MLCC 技术,具备以下优势:
1. 高可靠性:无极性设计减少了因极性接反导致的失效风险。
2. 小型化:C2012 封装尺寸使其成为紧凑型设计的理想选择。
3. 低 ESL 和低 ESR:有助于提高高频性能并减少信号干扰。
4. 稳定的电气性能:即使在温度和电压波动的情况下,也能维持较高的性能水平。
5. 良好的机械强度:能够承受回流焊和其他制造工艺带来的热冲击。
这款电容器广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。具体应用包括:
1. 数字电路中的去耦电容,用于平滑电源线上的电压波动。
2. 模拟电路中的滤波电容,用于消除噪声或隔离不同频率信号。
3. RF 电路中的匹配网络组件,用于实现阻抗匹配。
4. 开关电源中的输入输出滤波,以降低纹波电流和电磁干扰。
5. 数据采集系统中的信号调理部分,确保高质量的信号传输。
C2012X7R1A226K120AA
C2012C226K8BAAC
C2012X7R1E226M125AA