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C2012X5ROJ106K 发布时间 时间:2025/12/5 17:55:21 查看 阅读:26

C2012X5ROJ106K是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件采用标准的EIA 0805(公制2012)封装尺寸,具有体积小、可靠性高和高频性能优良的特点,广泛应用于各类电子设备中。这款电容器的介质材料为X5R,表示其温度特性符合EIA标准,工作温度范围为-55°C至+85°C,电容值随温度的变化率最大为±15%。其标称电容值为10μF(106表示10后跟6个零,单位为pF,即10,000,000pF = 10μF),额定电压为6.3V(OJ代表6.3V直流耐压等级),精度等级为K级,即电容容差为±10%。C2012X5ROJ106K因其良好的电性能和稳定性,常用于电源去耦、滤波、旁路以及DC-DC转换器的输入输出端等场合。该产品符合RoHS环保要求,适用于自动化表面贴装工艺,能够满足现代电子产品对小型化和高密度组装的需求。

参数

型号:C2012X5ROJ106K
  制造商:TDK
  封装/尺寸:EIA 0805 (2012公制)
  电容值:10μF (106)
  容差:±10% (K)
  电压等级:6.3V DC (OJ)
  介质材料:X5R
  工作温度范围:-55°C 至 +85°C
  温度系数变化率:±15%
  产品系列:C Series
  安装类型:表面贴装 (SMD)
  层数结构:多层陶瓷 (MLCC)
  端接类型:镍阻挡层 / 锡覆盖 (Ni-Sn)
  符合标准:RoHS compliant, AEC-Q200(部分批次)

特性

C2012X5ROJ106K作为一款高性能多层陶瓷电容器,具备优异的电气稳定性和机械可靠性。其采用X5R介电材料,在宽温度范围内保持相对稳定的电容值,适用于对电容变化敏感但不需要精密补偿的应用场景。与Y5V等材料相比,X5R在温度变化下的电容衰减更小,能提供更可靠的滤波和储能功能。该器件的0805封装尺寸在保证一定焊接可靠性的前提下实现了较高的空间利用率,适合高密度PCB布局。由于是SMD表面贴装元件,它兼容回流焊工艺,适合大规模自动化生产。
  该电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),因此在高频去耦应用中表现良好,可有效抑制电源噪声和瞬态电压波动。虽然其额定电压仅为6.3V,限制了在高压电路中的使用,但在低电压电源系统如3.3V或5V逻辑电路中完全适用。此外,10μF的大容量在同尺寸MLCC中属于较高水平,能够在不增加额外钽电容或铝电解电容的情况下实现较好的储能效果,有助于简化电源设计并提高系统可靠性。
  需要注意的是,陶瓷电容器的电容值会随着施加直流偏置电压的升高而下降,尤其是X5R类材料在接近额定电压时可能出现显著的容量衰减。因此在实际应用中建议留有电压余量,以确保足够的有效电容。同时,应避免机械应力集中,防止因PCB弯曲或热循环导致裂纹产生。总体而言,C2012X5ROJ106K是一款性价比高、应用广泛的通用型贴片电容,特别适用于消费电子、通信模块、工业控制和汽车电子等领域。

应用

C2012X5ROJ106K广泛应用于各类需要中等容量去耦和滤波功能的电子电路中。典型应用场景包括数字集成电路的电源去耦,例如微控制器(MCU)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)等芯片的VDD引脚附近,用以平滑电源波动并降低高频噪声对系统的影响。在DC-DC开关电源的输入和输出端,该电容可用于滤除开关噪声,提升电源转换效率和输出稳定性。由于其具备一定的储能能力,也可作为局部能量缓冲元件,应对负载突变引起的瞬态电流需求。
  在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,C2012X5ROJ106K因其小型化和高可靠性特点被大量采用,用于主板上的电源管理单元(PMU)周边电路。在通信模块中,例如Wi-Fi、蓝牙或蜂窝模组,该电容可用于射频电源的退耦,保障射频性能稳定。此外,在工业控制系统、传感器接口电路以及汽车电子中的车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统中也有广泛应用。考虑到其符合RoHS标准且部分批次通过AEC-Q200认证,该器件也适用于对环境适应性和长期可靠性有一定要求的车载应用环境。

替代型号

GRM21BR60J106KE19L
  CL21A106KOQNNNE
  C1608X5ROJ106K

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