C2012COG1H1R0CT 时间：2025/12/4 17:46:28 阅读：43

C2012COG1H1R0CT是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于C系列尺寸产品，具体尺寸为2012（即0805英寸制）。该电容器采用COG（NPO）介质材料，具备优异的温度稳定性和电气性能，适用于对稳定性要求较高的电路中。其标称电容值为1.0pF，额定电压为50V，电容公差为±0.25pF，属于超小容量、高精度电容范畴，常用于高频谐振电路、射频匹配网络以及精密滤波等应用场合。C2012COG1H1R0CT具有低损耗、高Q值、几乎为零的电容温漂特性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电容值输出，是高频模拟和射频电路设计中的理想选择。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持回流焊工艺，适用于自动化贴片生产流程。

参数

型号：C2012COG1H1R0CT
　　品牌：TDK
　　封装尺寸：2012 (0805)
　　介质材料：COG (NPO)
　　电容值：1.0pF
　　电容公差：±0.25pF
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 R×C≥10000MΩ·μF
　　耐焊接热：符合IEC 60068-2-56标准
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡涂层
　　适用焊接方式：回流焊

特性

C2012COG1H1R0CT所采用的COG（也称为NPO）陶瓷介质是目前所有电介质中稳定性最高的类型之一，其最大的特点是在整个工作温度范围内电容值几乎不随温度变化而发生显著偏移，温度系数可控制在0±30ppm/°C以内，确保了在极端环境下的长期稳定性与可靠性。这种材料属于Ⅰ类陶瓷电容器，具有极低的介电损耗（tanδ通常小于0.1%），因此非常适合应用于高频信号路径中，如LC谐振回路、振荡器、滤波器及阻抗匹配网络。由于其无压电效应、无老化现象且直流偏压对其电容值几乎没有影响，使得该器件在精密模拟电路和高频射频模块中表现出色。
　　该电容器的结构为多层陶瓷堆叠设计，通过交替排列内部电极与陶瓷介质层实现小型化的同时维持良好的电气性能。其2012封装（公制）对应于0805英寸尺寸，适合高密度PCB布局，并兼容主流SMT贴片工艺。端子采用镍阻挡层加锡覆盖结构，有效防止银离子迁移并提高可焊性，满足现代电子制造对可靠连接的需求。同时，产品经过严格的耐焊接热测试，可在高温回流焊过程中保持结构完整性和电气参数不变。
　　此外，C2012COG1H1R0CT具备出色的频率响应特性，在GHz级频段仍能保持较高的Q值和较低的ESR（等效串联电阻），有利于减少信号损失和相位噪声。其超小电容值（仅1.0pF）特别适用于微调电容、天线调谐、RFID、无线通信前端模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）等需要精确电容控制的应用场景。整体而言，这款电容器结合了高精度、高稳定性和良好高频性能，是高端电子设备中不可或缺的关键被动元件。