C2012C0G1H153JT000N 是一款由村田制作所(Murata)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于 C 系列。该型号采用了高介电常数材料,具有小尺寸、高容值和低等效串联电阻(ESR)的特点,适合在高频电路中作为去耦电容或滤波电容使用。其封装尺寸为 2.0 x 1.25 mm (EIA 2012),能够满足紧凑型设计需求。
电容值:15pF
额定电压:50V
公差:±5%
温度特性:C0G (NP0)
封装类型:表面贴装 (SMD)
尺寸:2.0 x 1.25 x 1.25 mm
直流偏置特性:不显著变化
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
C2012C0G1H153JT000N 具有 C0G (NP0) 温度特性,这意味着它的电容值在宽温范围内非常稳定,几乎没有随温度的变化。此外,该器件的介质材料是高稳定性陶瓷,因此它非常适合用于振荡器、滤波器以及对稳定性要求较高的射频应用。
由于其小型化设计和高可靠性,这款电容器广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。同时,它支持自动化表面贴装生产工艺,提升了装配效率和一致性。
C2012C0G1H153JT000N 常用于需要高稳定性和小尺寸的应用场景,包括但不限于:
1. 高频电路中的信号滤波
2. 振荡器和时钟电路中的负载电容
3. 射频模块中的匹配网络
4. 微控制器和数字电路的电源去耦
5. 工业自动化设备中的精密滤波
6. 医疗设备中的关键节点去耦
C0603C150J1GACTU
C1608C150J1GACTU
GRM155C80J150JA01D