C200N50Z4 时间：2025/8/16 8:53:06 阅读：3

C200N50Z4是一款功率MOSFET晶体管，广泛用于高功率和高频率的开关应用中。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源转换器、电机控制、电池管理系统等高要求的电子电路。C200N50Z4采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合在高电流和高电压条件下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：200A
　　导通电阻(Rds(on))：约0.018Ω
　　最大功耗(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
　　封装形式：TO-247

特性

C200N50Z4具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件的最大漏源电压为500V，最大漏极电流为200A，能够承受高电压和高电流的工作条件，适用于大功率开关电路。
　　此外，C200N50Z4的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还确保了在高功率运行时的稳定性与可靠性。其高开关速度特性使得该MOSFET非常适合用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动器。
　　该器件的栅极阈值电压范围为2V至4V，允许使用常见的逻辑电平进行驱动，从而简化了控制电路的设计。同时，其高耐压能力和强大的过载能力使其在恶劣的工作环境中依然保持稳定的性能。

应用

C200N50Z4常用于多种高功率电子系统中，包括但不限于电源转换器、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）、电机控制、太阳能逆变器以及工业自动化设备。其高电流和高电压处理能力使其成为大功率电源设计中的关键元件。例如，在DC-DC转换器中，C200N50Z4可以作为主开关元件，实现高效的电压转换；在电机控制系统中，它可以用于控制大功率电机的运行，提供快速响应和精确控制。
　　此外，该MOSFET还适用于需要高可靠性和高稳定性的应用场景，例如医疗设备、通信电源和工业自动化设备。其优异的热稳定性和低导通电阻使其在高负载条件下仍能保持良好的性能，延长设备的使用寿命。