型号：C1971
　　封装类型：TO-220/TO-220F
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：500V
　　连续漏极电流(ID)：7A
　　脉冲漏极电流(IDM)：28A
　　导通电阻(RDS(on))：0.55Ω @ VGS=10V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　功耗(Pd)：50W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：110pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：45ns

C1971具备出色的电气特性和热稳定性，是专为高效率功率转换系统设计的N沟道MOSFET。其最大漏源击穿电压高达500V，能够胜任多数离线式开关电源的设计需求，尤其是在AC-DC适配器、LED驱动电源和小型逆变器中表现优异。该器件的低导通电阻（典型值为0.55Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体系统的能效水平，并减少了对散热结构的依赖。在动态特性方面，C1971拥有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，这意味着它可以在较高的开关频率下运行而不会引入过大的驱动损耗，非常适合用于PWM控制电路和高频DC-DC变换器。
　　另一个关键特性是其良好的热性能。得益于TO-220封装所具备的优良热传导能力，C1971可在高达150°C的工作结温下持续运行，确保了在恶劣环境条件下的长期可靠性。同时，该器件内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约为45ns），有助于减少换流过程中的能量损耗和电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）风险。此外，C1971还具备较强的雪崩耐量，能够在突发过压或感性负载切断时吸收一定的能量而不发生损坏，提高了整个电源系统的安全裕度。
　　从制造工艺角度看，C1971采用了成熟的平面硅技术，保证了产品的一致性和良品率，同时也降低了生产成本，使其在市场上具有较强的竞争力。器件符合国际环保标准，支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。对于设计人员来说，C1971提供了清晰的数据手册支持，包括详细的热阻参数、安全工作区（SOA）曲线以及开关波形参考，便于进行精确的电路仿真与热管理设计。总之，C1971是一款集高性能、高可靠性和经济性于一体的功率MOSFET，适用于多种中等功率应用场景。

C1971主要应用于各类中等功率的开关电源系统中，例如手机充电器、笔记本电脑适配器、LED照明电源模块以及家用电器中的电源单元。由于其具备500V的耐压能力和7A的连续漏极电流承载能力，特别适合用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的AC-DC转换器中作为主开关管使用。在这些应用中，C1971能够实现高效的能量转换，并通过其低导通电阻减少发热，提高整机效率。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，该器件也可作为同步整流开关或主功率开关元件，发挥其快速开关响应和低损耗的优势。
　　在工业控制领域，C1971常被用于电机驱动电路、继电器驱动模块以及电磁阀控制等场合，凭借其高耐压和强抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。在太阳能光伏系统的小型逆变器或储能装置中，C1971也常作为桥式电路的一部分参与直流到交流的能量转换过程。另外，由于其封装形式标准化，易于安装散热片，因此在需要手动维修或批量生产的设备中具有良好的可维护性和装配便利性。
　　值得一提的是，C1971还适用于一些对成本敏感但性能要求较高的消费类电子产品，如智能音箱、网络路由器、监控摄像头等内部的辅助电源设计。这些设备通常要求电源部分体积小、效率高且成本可控，而C1971正好满足这些综合需求。结合合适的驱动电路和保护机制（如过流保护、过温保护），C1971可以构建出稳定可靠的电源解决方案，广泛服务于现代电子产品的多样化需求。

2SK2542
　　2SC1971
　　KSP1971
　　FQP50N06