类型：Mobile DDR SDRAM
　　容量：256MB
　　数据宽度：16位
　　电压：1.7V - 3.3V
　　时钟频率：166MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：54
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

HYMP532S64CP6-Y5 移动DDR SDRAM芯片具备多项显著特性，使其适用于高性能移动设备。首先，该芯片采用低电压设计，支持1.7V至3.3V的宽电压范围，能够有效降低功耗并延长设备电池寿命。其次，其最大时钟频率可达166MHz，提供高达333Mbps的数据传输速率，满足高速数据处理需求。
　　此外，HYMP532S64CP6-Y5 采用FBGA封装技术，具有较小的封装尺寸和较高的封装密度，适用于空间受限的便携设备。该芯片还支持多种操作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以进一步优化功耗管理。在数据完整性方面，其内置的DLL（延迟锁定环路）电路可确保数据的精确同步，提高存储系统的稳定性。
　　该芯片还支持突发模式访问，可提升连续数据访问效率，并具备良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境下的移动设备应用。

HYMP532S64CP6-Y5 主要用于需要低功耗、高性能内存的移动电子设备。常见的应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、数码相机、MP3播放器以及嵌入式系统设备。由于其出色的低功耗特性和较高的数据传输速度，该芯片也适用于需要实时数据处理和图形加速功能的便携设备，如车载导航系统、工业控制设备和医疗电子设备等。
　　在嵌入式系统中，HYMP532S64CP6-Y5 可作为主存储器或缓存使用，为嵌入式处理器提供快速、稳定的数据访问能力。其紧凑的封装设计也使其适用于空间受限的物联网（IoT）设备和穿戴式电子产品，满足现代电子产品对高性能、低功耗和小型化的需求。

MT48LC16M16A2B4-6A, K4S561633E-HC10