C1206C823G3GAC7800 是一款陶瓷电容器,属于 C 系列多层陶瓷电容器(MLCC)。它采用 X7R 介质材料,具有良好的温度稳定性和高频性能。该型号广泛应用于各种电子设备中,用于滤波、耦合、去耦和旁路等功能。
该电容器具有小尺寸、高可靠性和低等效串联电阻(ESR)的特点,适合在紧凑型设计和高频电路中使用。
封装:0603
容量:8.2pF
电压额定值:50V
公差:±5%
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:1.6mm x 0.8mm
高度:0.8mm
C1206C823G3GAC7800 具有稳定的电气特性和优异的温度补偿能力。X7R 介质材料使其能够在较宽的温度范围内保持稳定的电容值,同时其高频特性也使得这款电容器非常适合用于射频和高速数字电路中的信号处理。
此外,由于采用了多层陶瓷技术,该电容器具有较低的等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR),这进一步提高了其在高频条件下的性能表现。
这种电容器还具备抗振动和抗冲击的能力,适用于恶劣环境下的应用。其无铅设计符合 RoHS 标准,适合环保要求较高的应用场景。
C1206C823G3GAC7800 常见的应用领域包括消费类电子产品、工业控制设备、通信设备以及汽车电子系统等。
具体应用包括:
1. 滤波:用于电源输入端或输出端的滤波,以消除噪声和干扰。
2. 耦合:用于放大器之间的信号耦合,确保信号不失真地传输。
3. 去耦:为芯片供电提供稳定的电压,减少电源波动对芯片性能的影响。
4. 旁路:在高频电路中,用于旁路高频干扰信号,提高系统的稳定性。
5. 射频电路:适用于无线通信模块中的谐振和匹配网络。
C1206C823G3RACTU, C1206C823K4RACTU