时间：2025/9/14 19:13:18
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BUK9Y7R6-40E,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用，适用于广泛的工业和消费类电子产品。该MOSFET具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适用于需要高效能和高稳定性的电路设计。该器件采用标准的TO-220封装，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25℃时）
脉冲漏极电流（Idm）：50A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.75Ω
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：83W
BUK9Y7R6-40E,115 具备一系列优秀的电气和热性能，使其成为高要求功率应用的理想选择。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统整体效率。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压可达400V，适合用于高电压环境下工作的电源转换器和电机驱动器。
该器件采用了先进的制造工艺，使其具备良好的开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。同时，其强大的脉冲漏极电流能力（50A）能够承受瞬时高电流冲击，提高了系统的稳定性与可靠性。
封装方面，TO-220封装结构提供了良好的散热性能，便于将热量传导至散热片，从而有效控制器件温度，延长使用寿命。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，支持与多种驱动电路的兼容性，增强了设计灵活性。
总体来看，BUK9Y7R6-40E,115 在性能、可靠性与封装设计方面达到了良好的平衡，非常适合用于电源管理、电机控制、照明系统、充电器及各种功率转换设备。
该MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化控制系统、LED照明驱动器、电池充电器以及家用电器中的功率控制电路。由于其高耐压和高电流能力，BUK9Y7R6-40E,115 也常用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器等新能源领域。
STP10NM50N, IRF740, FQA10N40, 2SK2141
