尺寸：1005 (1.0mm x 0.5mm)
　　电容值：100nF (0.1μF)
　　容差：±10% (K)
　　额定电压：50V DC
　　介电材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　电容温度特性：±15% (-55°C 至 +85°C)
　　直流偏压特性：随电压增加电容下降
　　封装形式：表面贴装(SMD)
　　端接类型：镍阻挡层/锡电极
　　包装方式：卷带编带

C1005X5R104KDT所采用的X5R介电材料是一种中等稳定的铁电陶瓷配方，属于EIA II类介质，具备比Y5V更优的温度稳定性，同时又比C0G/NP0材料拥有更高的体积效率，因此在需要兼顾电容值与尺寸的应用中表现出色。其温度系数规定为±15%的变化范围，在-55°C到+85°C的工作区间内能够维持相对稳定的电容输出，远优于Y5V的+22/-82%波动，因而更适合用于电源线路中的滤波和去耦环节。该电容器在不同温度下的电容变化呈非线性但可预测，有利于系统设计者进行裕量预留。此外，X5R材料还具备较低的损耗因子（tanδ通常小于2.5%），意味着在交流应用中能量损耗较小，发热低，有助于提升整体系统的能效表现。
　　结构上，C1005X5R104KDT采用多层叠层设计，内部由多个陶瓷介质层与内电极交替堆叠而成，形成高单位体积电容密度。这种结构不仅提升了电容值，还降低了等效串联电感（ESL），使其在高频下仍具有较好的响应能力。虽然其绝缘电阻较高（典型值≥1000MΩ或时间常数≥100S），但在长期高温高湿环境下仍需注意防潮处理，以免影响可靠性。该器件的机械强度经过优化设计，能够在标准回流焊工艺（最高约260°C）下保持结构完整性，且端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），增强了焊接牢固性和抗热冲击能力，减少了因热应力导致的裂纹风险。此外，该型号符合AEC-Q200等可靠性标准的部分测试项目，适用于对稳定性有要求的工业及汽车电子环境。值得一提的是，由于其小尺寸特性，在PCB布局时应尽量缩短走线长度，避免引入额外寄生电感，从而充分发挥其高频去耦优势。

C1005X5R104KDT因其小型化、稳定性和高可靠性，被广泛应用于多种电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常用于电源管理单元（PMU）的输入/输出滤波、处理器核心供电的去耦以及射频模块的旁路电路，利用其快速响应瞬态电流变化的能力，保障芯片稳定运行。在计算机及其外围设备领域，它可用于主板上的DC-DC转换器旁路、内存模块供电滤波以及接口电路的噪声抑制，帮助减少电源纹波和电磁干扰。此外，在工业控制系统中，例如PLC控制器、传感器信号调理电路和嵌入式工控机中，该器件用于稳定模拟和数字电源轨，提高系统的抗干扰能力和长期运行稳定性。
　　通信设备也是其重要应用方向之一，包括路由器、交换机、基站模块等，其中大量使用此类MLCC进行电源层去耦和信号通路滤波。由于其工作温度范围宽，也可部署于车载电子系统中，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制模块，在满足空间受限的同时提供必要的电容支持。另外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声探头前端电路中，C1005X5R104KDT可用于低噪声电源滤波，确保敏感模拟电路不受干扰。对于LED照明驱动电源，该电容器可用于初级侧或次级侧的滤波网络，配合其他元件平滑输出电压。在自动化贴片生产线上，其标准化封装和卷带包装形式极大提升了贴装效率和良率，适用于高速贴片机作业。总体而言，该器件适用于所有需要小型、稳定、可靠的陶瓷电容的场合，尤其适合高密度组装和多层PCB设计场景。

C1005X5R104K50