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BZX884S-B62YL 发布时间 时间:2025/9/14 1:26:47 查看 阅读:19

BZX884S-B62YL是一种表面贴装齐纳二极管,由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产。该器件专为电压调节和电压参考应用而设计,适用于各种电子电路中的稳压功能。其采用SOD-323(SC-76)封装,具有小尺寸和轻量化的优点,非常适合在空间受限的电路板上使用。BZX884S-B62YL的齐纳电压为6.2V,具备良好的电压稳定性,适合用作低功率电压参考或保护电路中的钳位器件。

参数

制造商: NXP Semiconductors
  类型: 齐纳二极管
  齐纳电压: 6.2V
  最大齐纳电流: 200mA
  最大功率耗散: 300mW
  工作温度范围: -55°C 至 150°C
  封装类型: SOD-323(SC-76)
  引脚数: 2
  最大反向漏电流: 100nA @ 1V
  齐纳阻抗: 150Ω(最大)
  湿度敏感度: 1级

特性

BZX884S-B62YL齐纳二极管具有多种优异的电气和物理特性,使其在电子系统中表现出色。首先,其精确的齐纳电压为6.2V,具有±5%的容差,确保了在电压调节和参考应用中的稳定性与准确性。其次,该器件的最大齐纳电流为200mA,使其能够承受一定的负载变化,保持稳定的输出电压。
  在功率处理方面,BZX884S-B62YL的最大功耗为300mW,适用于低功耗设计,同时具备良好的热稳定性,可在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作。这使其适用于各种环境条件下的电子设备,包括工业控制系统、通信设备和消费电子产品。
  该器件采用SOD-323封装,尺寸小巧,节省PCB空间,便于自动化贴装工艺。此外,BZX884S-B62YL的低反向漏电流(最大为100nA)有助于减少待机功耗,提高电路的整体能效。其齐纳阻抗最大为150Ω,确保在不同负载条件下电压的稳定输出,降低电压波动对电路性能的影响。
  另外,BZX884S-B62YL符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,适用于环保型电子产品设计。其封装符合JEDEC标准,确保良好的兼容性和可制造性。该齐纳二极管广泛应用于电源管理、电池充电、信号调理、过压保护等电路中,提供可靠和稳定的电压基准。

应用

BZX884S-B62YL齐纳二极管适用于多种电子电路中的电压调节和参考应用。常见应用包括电源管理电路中的电压参考源,用于确保系统在不同负载条件下的稳定运行。此外,它还可用于电池充电电路中的电压钳位,防止电池过充并提高安全性。
  在信号调理电路中,BZX884S-B62YL可用于提供稳定的参考电压,以确保模拟电路和ADC(模数转换器)的准确性。它也可用于微控制器系统的稳压电路,为处理器和其他数字元件提供稳定的供电电压。
  由于其低漏电流和高稳定性,该器件常用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电压参考和保护电路。此外,它也适用于工业控制系统的传感器接口电路,为传感器提供精确的参考电压,提高测量精度。
  在通信设备中,BZX884S-B62YL可用于射频电路中的电压稳定,确保无线模块的正常运行。它还可用于LED照明系统的恒压控制,提高光源的稳定性和寿命。

替代型号

BZX884-B62, 1N4735A, MMSZ5231B, L78L05, TL431

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BZX884S-B62YL参数

  • 现有数量18,715现货
  • 价格1 : ¥2.70000剪切带(CT)10,000 : ¥0.35139卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)62 V
  • 容差±1.94%
  • 功率 - 最大值365 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)215 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 nA @ 43.4 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOD-882
  • 供应商器件封装DFN1006BD-2