型号：BZX84C5V6LT116
　　制造商：ON Semiconductor
　　封装类型：SOD-323 (SC-90)
　　齐纳电压（Vz）：5.6V
　　电压容差：±5%
　　测试电流（Izt）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：10Ω
　　最大反向漏电流（Ir）：1μA（在1V时）
　　功率耗散（Ptot）：225mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单齐纳二极管
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BZX84C5V6LT116齐纳二极管具备优异的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是5.6V的齐纳击穿电压，这一电压值处于硅材料齐纳二极管温度系数最小的区域附近，因此具有非常低的温度漂移，通常在+2mV/°C左右，远优于其他电压点的齐纳管。这使得它在需要高精度电压参考的应用中表现出色，例如在ADC或DAC的基准源电路中。该器件在5mA的测试电流下工作，此时齐纳电压稳定且动态阻抗低至10Ω，能够有效抑制电源波动对后续电路的影响。低动态阻抗意味着即使负载电流发生微小变化，输出电压也能保持相对恒定，从而提高系统的整体稳定性。
　　BZX84C5V6LT116采用SOD-323封装，尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，适合高密度印刷电路板设计，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严格的电子产品。该封装还具备良好的散热性能，在适当的PCB布局下可实现有效的热传导，避免因局部过热导致器件失效。此外，该器件支持回流焊工艺，兼容自动贴片生产线，提高了生产效率和装配良率。
　　在可靠性方面，BZX84C5V6LT116经过严格的质量控制流程，符合AEC-Q101汽车级认证的部分要求，可用于非关键汽车电子系统。其反向漏电流在室温下小于1μA，保证了在低功耗待机模式下的能量损耗极小，有助于延长电池供电设备的工作时间。器件还具备一定的浪涌电流承受能力，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的保护，常被用作ESD防护或电压箝位元件。总体而言，BZX84C5V6LT116是一款性能稳定、成本效益高、应用广泛的通用型齐纳二极管。

BZX84C5V6LT116广泛应用于各类电子设备中，主要用于电压参考、电源稳压、信号电平钳位和过压保护等场景。在模拟电路中，它常被用作运算放大器的偏置电压源或ADC/DAC的基准电压，因其5.6V的齐纳电压接近许多逻辑电路的中间电平，便于生成对称的参考点。在数字系统中，该器件可用于I/O端口的静电放电（ESD）保护，防止外部高压脉冲损坏敏感的CMOS输入级。此外，在开关电源或LDO稳压器的反馈回路中，BZX84C5V6LT1116可作为分压采样后的比较基准，提升输出电压的精度与稳定性。
　　在传感器信号调理电路中，该齐纳二极管可用于为传感器供电提供稳定的激励电压，减少由于电源波动引起的测量误差。在电池供电设备如无线传感器节点、智能手表和蓝牙耳机中，BZX84C5V6LT116因其低漏电流和小封装优势，成为理想的电压钳位解决方案。在工业控制领域，它可用于PLC模块中的信号隔离与电平转换，确保不同电压域之间的安全通信。此外，该器件也常见于消费类电子产品中的LED驱动电路，用于限制电压峰值，防止LED因瞬时过压而烧毁。
　　在汽车电子中，尽管不属于车规级专用型号，但BZX84C5V6LT116仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理电路中，提供低成本的电压保护方案。由于其良好的温度适应性，也可部署在高温环境下的户外电子设备中，如监控摄像头、智能电表等。总之，该器件凭借其高可靠性、小尺寸和优良的电气特性，在多个行业中发挥着重要作用。

MMBZ5V6ALT1G
　　PMZ5V6T1
　　ZMM5V6
　　BZX84-C5V6