时间：2025/12/26 9:44:48
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BZX84C30-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装齐纳二极管，属于BZX84系列的一部分。该器件采用SOD-323（SC-76）小型封装，适用于需要紧凑布局和高密度组装的便携式电子设备。其标称齐纳电压为30V，稳压精度高，典型容差为±5%，能够在较宽的工作电流范围内提供稳定的电压参考。BZX84C30-7-F设计用于低功率稳压应用，如电源管理、信号电平钳位、过压保护以及基准电压源等场景。该器件具有良好的热稳定性和长期可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合现代绿色电子产品制造。其结构基于硅PN结技术，利用反向击穿特性实现稳压功能，在正常工作条件下保持高阻抗状态，当输入电压超过齐纳电压时迅速导通，将电压钳制在安全水平，从而保护后续电路免受高压损害。此外，由于其小尺寸和轻量化特点，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统及汽车电子模块中。
型号：BZX84C30-7-F
封装类型：SOD-323 (SC-76)
齐纳电压(VZ)：30V @ 5mA
容差：±5%
最大耗散功率(Ptot)：350mW
测试电流(IZT)：5mA
最大动态阻抗(ZZT)：90Ω
温度系数：+1.2mV/°C (典型值)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
引脚数：2
极性：齐纳二极管
湿度敏感等级(MSL)：1 (无限时间)
无铅/符合RoHS：是
BZX84C30-7-F具备出色的电气稳定性与热性能，其核心特性之一是在额定电流下能维持精确的30V齐纳电压输出，确保在各种负载条件下提供可靠的电压基准。该器件的动态阻抗较低，典型值不超过90Ω，有助于减少因电流波动引起的电压变化，提升系统的整体稳压效果。其温度系数为正且数值较小（约+1.2mV/°C），意味着随着环境温度升高，齐纳电压略有上升，这一特性在某些需要温度补偿的设计中可被有效利用。同时，该器件可在-55°C至+150°C的极端温度范围内稳定运行，适用于高温或低温恶劣环境下的工业与汽车级应用。SOD-323封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热能力，结合350mW的最大功耗，使其能在有限的空间内处理适度的功率需求。该封装形式支持自动化贴片生产，提高组装效率并降低制造成本。此外，BZX84C30-7-F具有快速响应能力，能在瞬态过压事件发生时迅速进入击穿状态，有效抑制电压尖峰，保护敏感元件。其反向漏电流极低，在未达到击穿电压前几乎不导电，保证了待机状态下的低功耗表现。所有材料均符合国际环保标准，不含铅、镉、汞等有害物质，满足现代电子产品的可持续发展要求。产品经过严格的质量控制流程，具备高可靠性和长寿命，适用于批量生产和长期服役的应用场景。
在制造工艺方面，BZX84C30-7-F采用先进的晶圆级加工技术和严格的筛选测试流程，确保每批次产品的一致性和稳定性。其内部结构优化了电场分布，避免局部热点形成，提升了器件的耐久性。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，减少了在运输和装配过程中的损坏风险。由于其标准化参数和广泛应用历史，已成为许多电路设计中的首选齐纳二极管之一。
BZX84C30-7-F广泛应用于各类需要精密电压参考或过压保护的电子系统中。在电源电路中，常用于低压直流电源的稳压环节，作为反馈回路中的电压检测元件，配合三极管或运算放大器构建简单的线性稳压器。在信号调理电路中，可用于电平钳位，防止输入信号超出ADC或其他模拟前端器件的允许范围，从而避免损坏或误操作。在接口保护方面，该器件可安装于通信线路（如I2C、UART、GPIO）上，吸收瞬态浪涌能量，提升系统的电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力。在电池供电设备中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，BZX84C30-7-F因其小尺寸和低功耗特性而被广泛用于电池电压监测与保护电路中，确保电池不会因过充或异常放电导致危险情况。在工业控制系统中，它可用于传感器信号调理模块的偏置电压设置，或作为比较器的参考源。在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统的电源管理单元中，提供稳定的参考电压并抵御来自点火系统或电机启停带来的电压波动。此外，在测试测量仪器、医疗电子设备和智能家居控制器中也常见其身影，承担电压校准、电路保护和噪声抑制等功能。得益于其高可靠性和广泛的供货渠道，BZX84C30-7-F成为工程师进行原型设计和量产选型时的重要选择之一。
MMBZ5246BLT1G
PZM30,115
SZBZT52C30-7-F
BZX84-C30
