齐纳电压: 2.7V
　　齐纳电流: 5mA
　　最大耗散功率: 300mW
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C
　　存储温度范围: -65°C 至 +150°C
　　封装类型: SOD-80
　　最大反向漏电流（VR）: 100nA（典型值）

BZX84C2V7M 的主要特性之一是其稳定的2.7V齐纳电压输出，适用于对电压精度要求较高的电路。该器件在5mA的测试电流下表现出良好的电压稳定性，且在低电流区域也具有较平坦的电压-电流曲线，确保在不同负载条件下的稳定输出。
　　其次，该齐纳二极管具有较高的功率耗散能力（最大300mW），使其在中等功率应用中也能保持良好的工作状态。此外，SOD-80封装形式具有较小的尺寸和良好的热性能，适用于高密度PCB布局。
　　在温度特性方面，BZX84C2V7M 具有较宽的工作温度范围（-65°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车级应用环境。其温度系数较低，确保在温度变化时电压稳定性仍然良好。
　　电气性能方面，该器件具有较低的反向漏电流（典型值100nA），可有效减少待机状态下的功耗，适用于低功耗系统设计。

BZX84C2V7M 主要用于需要稳定2.7V参考电压的电子电路中。常见应用包括电源管理系统中的电压参考、电池充电电路中的基准电压源、传感器电路中的偏置电压调节以及微控制器系统中的电压监控电路。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，该器件可用于电池电压监测和调节，确保系统在不同电量状态下的稳定运行。
　　此外，该齐纳二极管也可用于模拟电路中的基准电压源，如运算放大器偏置、ADC/DAC参考电压等。在汽车电子系统中，例如车载电池管理系统和车载娱乐系统，BZX84C2V7M 能够提供可靠的电压参考，确保系统的稳定性和安全性。
　　由于其表面贴装封装，BZX84C2V7M 适用于自动化生产流程，广泛应用于消费类电子、通信设备、工控设备及测试仪器等领域。

BZX84C2V7T、BZX84C2V7L、MM3Z2V7、ZMM2V7