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BZX84C2V7 发布时间 时间:2025/12/26 3:45:30 查看 阅读:21

BZX84C2V7是一款小型表面贴装稳压二极管(Zener Diode),属于BZX84系列,广泛用于电子电路中的电压参考和稳压应用。该器件采用SOD-323封装,具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点,适用于便携式设备和高密度PCB布局设计。BZX84C2V7的标称稳压值为2.7V,在规定的测试电流下能够提供稳定的反向击穿电压,确保后级电路获得可靠的电压钳位保护。该器件由多个半导体制造商生产,如Nexperia、ON Semiconductor、Diodes Incorporated等,符合RoHS环保要求,适合自动化贴片生产工艺。
  作为稳压二极管,BZX84C2V7工作在反向偏置模式下,当施加的反向电压达到其齐纳电压时,器件进入击穿区并维持一个相对恒定的电压,从而实现稳压功能。其低动态电阻特性有助于减小输出电压波动,提高系统稳定性。此外,该器件具有较低的漏电流,在未达到击穿电压前功耗极低,适合电池供电系统中使用。由于其2.7V的稳压值接近逻辑电平阈值,常被用于信号电平箝位、ESD保护以及ADC参考电压源等场景。

参数

类型:齐纳二极管
  极性:单路
  封装/外壳:SOD-323
  标称齐纳电压:2.7V @ 5mA
  最大耗散功率:250mW
  齐纳阻抗:100Ω(典型)@ f = 1kHz
  测试电流:5mA
  最大正向电压:1.2V @ 10mA
  工作温度范围:-65°C ~ +150°C
  存储温度范围:-65°C ~ +150°C
  热阻:500K/W(结到环境)

特性

BZX84C2V7具备优异的电压稳定性和温度特性,能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出,特别适用于对电压精度要求较高的模拟和数字混合信号系统。其SOD-323封装尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm,极大节省了PCB空间,适合应用于智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等紧凑型电子产品中。该器件的击穿电压容差通常控制在±5%以内,保证了批次间的一致性,有利于批量生产时的质量控制。
  在电气性能方面,BZX84C2V7具有较低的动态阻抗,这意味着在负载变化或输入电压波动时,输出电压的变化较小,提升了系统的抗干扰能力。同时,其反向漏电流在低于击穿电压时非常低,一般小于1μA(@ VR = 1V),有效降低了待机状态下的功耗,延长了电池寿命。器件还具备良好的瞬态响应能力,能快速响应电压突变,防止过压损坏敏感元件。
  从可靠性角度看,BZX84C2V7通过了多项工业标准认证,包括AEC-Q101(汽车级)的部分应力测试,表明其在高温、高湿、振动等恶劣环境下仍能稳定工作。其结温可达+150°C,适合在高温环境中长期运行。此外,该器件支持回流焊工艺,焊接过程中不易发生热损伤,提高了组装良率。综合来看,BZX84C2V7是一款高性能、高可靠性的微型稳压二极管,是现代电子设计中理想的电压基准与保护元件。

应用

BZX84C2V7主要用于需要精确电压参考或低压稳压的场合,常见于电源管理电路中的电压钳位、LDO反馈网络、ADC/DAC参考源、信号调理电路以及接口电平转换等应用。由于其2.7V的稳压值接近3.3V系统中的逻辑阈值,常用于防止信号线过压,起到ESD和浪涌保护作用。在电池供电设备中,它可用于监测电池电压或为低功耗微控制器提供稳定参考。此外,在汽车电子、工业控制、消费类电子和通信模块中也有广泛应用,例如车载传感器模块、无线收发器前端保护、音频电路偏置等场景。

替代型号

[
   "MMBZ27V,318",
   "PMBZ27V,115",
   "SZBZT52C2V7",
   "ZMM2V7"
  ]

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BZX84C2V7参数

  • 制造商Taiwan Semiconductor
  • 产品种类稳压二极管
  • 齐纳电压2.7 V
  • 电压容差7 %
  • 电压温度系数- 1.75 mV / C
  • 功率耗散350 mW
  • 最大反向漏泄电流20 uA
  • 最大齐纳阻抗100 Ohms
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量3000
  • 零件号别名RF