时间：2025/5/10 18:27:46
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DFP6N60是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关和功率转换应用。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在各种电源管理场景中使用，例如DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等。
最大漏源电压：600V
最大漏极电流：6A
导通电阻：4.8Ω
栅极电荷：17nC
总耗散功率：1.9W
工作结温范围：-55℃ to 150℃
DFP6N60具备以下显著特点：
1. 高击穿电压（600V）使其适用于高压环境下的功率转换任务。
2. 低导通电阻（4.8Ω）有助于减少传导损耗，提高整体效率。
3. 快速开关能力使得其非常适合高频应用，减少开关损耗。
4. 小型TO-252封装方便布局并节省PCB空间。
5. 工作温度范围广，适应恶劣的工业及汽车级环境需求。
6. 内部采用了优化的结构设计，增强了热性能和可靠性。
DFP6N60广泛应用于多个领域：
1. 开关电源中的初级侧开关管。
2. DC-DC转换器的同步整流或高频开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. LED照明系统的恒流驱动。
5. 小功率电机控制和驱动。
6. 汽车电子中的负载切换和继电器替代方案。
IRF640N, STP6NK60Z, FDP156N60
