类型：齐纳二极管（稳压二极管）
　　封装形式：SOD-123（表面贴装）
　　齐纳电压（Vz）：14V
　　容差：±5%
　　额定功率：300mW
　　最大齐纳电流（Izmax）：约 5mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C

BZX84C14W 具备多项优良的电气和机械特性，使其在多种应用环境中表现出色。其主要特性包括：高精度的齐纳电压容差（±5%），确保电压参考的稳定性；采用 SOD-123 表面贴装封装，适合现代自动化生产和紧凑型 PCB 设计；额定功率为 300mW，能够在较小的封装中提供良好的功耗能力；具备良好的温度稳定性和长期稳定性，适合用于高可靠性要求的电路系统；该器件的反向击穿电压具有良好的动态响应，适用于瞬态电压抑制和稳压电路。
　　此外，BZX84C14W 的封装材料符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺。其低内阻特性有助于减少电压波动，提高电路的整体稳定性。同时，该器件的反向漏电流较低，在未击穿状态下对电路影响小，适合用于高精度模拟和数字电路中的电压钳位和参考电压生成。

BZX84C14W 主要用于需要稳定电压参考或过压保护的电子电路中。典型应用包括：电源管理电路中的电压参考源、模拟运算放大器电路中的偏置电压提供、电池供电设备中的电压监测电路、嵌入式系统和微控制器外围电路中的稳压保护、工业控制系统的信号调理电路以及消费类电子产品中的过压保护电路。
　　此外，该器件也常用于通信设备、传感器接口电路、汽车电子系统以及便携式仪器中，作为关键的电压稳定元件。由于其表面贴装封装形式，BZX84C14W 特别适用于需要高密度布线和自动化生产的现代电子制造流程。

BZX84C14-7-F（Diodes Inc.）
　　ZXRE14W（Diodes Inc.）
　　MMSZ4685T1G（onsemi）
　　L78L14ACUTR（STMicroelectronics）