类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：9.1V
　　容差：±2%
　　功率耗散：300mW
　　最大齐纳电流：200mA
　　封装形式：SOD-323（SC-76）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流（VR < VZ）：100nA @ 1V
　　齐纳阻抗（Zzt）：45Ω @ 5mA
　　测试电流：5mA

BZX84B9V1W 齐纳二极管具备优异的稳压特性和高精度容差控制，确保在不同工作条件下保持稳定的参考电压。其±2%的电压容差使得该器件适用于对电压精度要求较高的模拟和数字电路。该齐纳二极管的低动态阻抗（Zzt）保证了在负载变化时仍能维持良好的电压稳定性，同时具备较低的反向漏电流，有助于减少电路静态功耗。
　　BZX84B9V1W 采用SOD-323小尺寸封装，节省电路板空间，适用于高密度PCB设计。其300mW的额定功耗和高达200mA的最大齐纳电流能力，使其能够在中等功率应用中稳定工作。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗热冲击能力，适应宽温度范围（-55°C至+150°C），满足工业级和消费类电子产品的环境要求。
　　该齐纳二极管广泛用于电压参考、电源调节、过压保护、信号调理等应用场景，适用于电池供电设备、DC-DC转换器、传感器接口电路以及各种需要基准电压的系统设计。其标准化参数和广泛兼容性也使其成为替代其他品牌类似器件的理想选择。

BZX84B9V1W 主要应用于需要稳定参考电压和电压调节的电子电路中。常见应用包括电源管理系统中的基准电压源、电池充电电路中的过压保护、模拟电路中的偏置电压调节、ADC/DAC参考电压提供、信号调理电路中的限幅保护以及各类低功耗电子设备中的稳压控制。该器件特别适合空间受限的便携式设备、工业控制系统、消费电子产品以及汽车电子中的辅助电源管理电路。

BZX84C9V1, BZX84B9V, MMSZ4680T1G, 1N4739A, L78L09