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BZX84B6V8TR 发布时间 时间:2025/8/14 3:54:42 查看 阅读:22

BZX84B6V8TR 是一款常用的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),由Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)制造。该器件主要用于电压调节、参考电压源和过压保护应用。其标称齐纳电压为6.8V,在测试电流下具有良好的稳定性和重复性。BZX84B6V8TR 采用SOT-23(也称为TO-236)小型封装,适合用于空间受限的高密度PCB设计。

参数

齐纳电压:6.8 V
  最大齐纳电流:100 mA
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(TO-236)
  引脚数:3
  极性:单极
  最大反向漏电流(VR < VZ):100 nA
  测试电流:5 mA

特性

BZX84B6V8TR 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性,适用于广泛的模拟和数字电路设计。
  首先,该器件的齐纳电压在标准测试条件下非常稳定,典型值为6.8V,容差分为多个等级(如±5%或±2%),用户可以根据应用需求选择合适的版本。其电压温度系数较低,通常在±100 ppm/°C左右,这意味着在温度变化较大的环境中,其电压稳定性依然良好,适合用于高精度参考电压源设计。
  其次,BZX84B6V8TR 的最大耗散功率为300mW,能够在有限的功耗预算下提供较高的负载能力。其最大齐纳电流可达100mA,适合用于中等功率的电压调节电路。该器件的反向漏电流非常低,在未达到击穿电压时通常小于100nA,有助于减少静态功耗,提高电路的整体效率。
  此外,BZX84B6V8TR 采用SOT-23封装,具有体积小、重量轻、易于焊接和自动化装配等优点。该封装还具有良好的热性能,能够有效地将热量从芯片传导至PCB,从而保证器件在连续工作下的稳定性。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车电子应用环境。
  该齐纳二极管还具有良好的长期稳定性和可靠性,经过老化测试后电压漂移较小,适合用于对稳定性要求较高的精密测量仪器和电源管理系统中。

应用

BZX84B6V8TR 主要用于以下类型的电子电路和系统中:
  首先是电压参考和调节电路,例如在模拟电路中作为基准电压源,用于运算放大器偏置、ADC/DAC参考电压、比较器电路等。
  其次是电源管理系统,如电池充电器、DC-DC转换器和LDO稳压器的反馈回路中,用于稳定输出电压或实现过压保护功能。
  此外,该器件也广泛应用于嵌入式系统和微控制器电路中,用于保护GPIO引脚免受静电放电(ESD)或瞬态电压的损害。
  在工业自动化和汽车电子中,BZX84B6V8TR 也常用于传感器信号调理、电压监测和接口电平转换等场景。
  由于其低漏电流和高稳定性,该齐纳二极管还适合用于低功耗设备和便携式电子产品中的电压检测电路。

替代型号

BZX84C6V8、BZX84B6V8LT1G、BZX84B6V8E6386、MMBZ5231B

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