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BZX84-C9V1 发布时间 时间:2022/12/8 14:49:11 查看 阅读:510

    电压, Vz:9.1V

    最大功耗:350mW

    封装形式:SOT-23

    针脚数:3

    SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

    SMD标号:Z8

    二极管类型:齐纳式

   

目录

概述

    电压, Vz:9.1V

    最大功耗:350mW

    封装形式:SOT-23

    针脚数:3

    SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

    SMD标号:Z8

    二极管类型:齐纳式

    外宽:3.05mm

    外部深度:2.3mm

    外部长度/高度:1.12mm

    容差:5%

    封装类型:SOT-23

    带子宽度:8mm

    总功率, Ptot:0.35W

    测试电流:5mA

    表面安装器件:表面安装

    齐纳电流:5mA

    SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)


资料

厂商
VISHAY

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BZX84-C9V1参数

  • Typical Voltage Temperature Coefficient5.5mV/°C
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.4mm
  • 封装类型TO-236AB
  • 尺寸3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散250 mW
  • 最大反向漏电流0.5μA
  • 最大齐纳阻抗15Ω
  • 最高工作温度+150 °C
  • 测试电流5mA
  • 配置
  • 长度3mm
  • 额定齐纳电压9.05V
  • 高度1mm
  • 齐纳电压容差±5%
  • 齐纳类型稳压器